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公开(公告)号：CN115508627A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211173038.X
申请日：2022-09-26
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于狭缝跑道型微环的硅基波导电场传感芯片及测量方法，芯片包括：自下而上设置的硅衬底层、埋氧层和硅刻蚀层，硅刻蚀层包括干涉结构和微环结构；干涉结构包括马赫曾德尔型调制波导和位于马赫曾德尔型调制波导输入和输出两侧的耦合光栅波导，光刻胶覆盖于马赫曾德尔型调制波导上；微环结构包括从外向内设置的跑道型微环外环波导和跑道型微环内环波导，两个波导之间具有狭缝，电光聚合物薄膜覆盖于微环结构上且将狭缝填充；马赫曾德尔型调制波导的一侧调制臂与跑道型微环外环波导的部分重叠。本发明通过优化微环结构和引入狭缝聚合物波导，解决了输出功率小，耦合不到位的问题，有效提升了传感芯片的线性度与灵敏度。
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公开(公告)号：CN114778958A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210252347.X
申请日：2022-03-15
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R29/08 , G01R15/18 , H01L41/113 , B81B7/02
Abstract: 本发明公开了一种基于压电驱动的场磨式MEMS电场传感器，包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有L型弹性梁、屏蔽电极和压电驱动结构，所述屏蔽电极通过所述L型弹性梁与所述压电驱动结构连接，将压电驱动结构的垂直位移转为屏蔽电极扭转或垂直位移；所述压电驱动结构控制电传感器的调制模态：当两侧压电驱动结构施加电压相位差180°时，电场处于扭转振动调制模态，当两侧电压驱动结构施加电压相位相等时，电场处于活塞振动调制模态。本发明具有扭转调制模式和活塞调制模式两种工作模态，微结构谐振频率高可实现电场高频调制。本发明的传感器采用先进压电驱动方式和结构，具有功耗低、灵敏度高和振动模式可控的优点。
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公开(公告)号：CN116125123A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310041219.5
申请日：2023-01-11
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于近端积分反演的非侵入式电压测量方法，包括：在被测设备周围选择参考点，将被测设备和参考点之间的铅垂线作为被测电场的积分区间[0，H]，并对积分区间[0，H]的积分上限H和积分下限0进行归一化处理，得到归一化的积分节点位置；基于归一化的积分节点位置，将积分区间[0，H]划定为弱场区[0，kH]和强场区[kH，H]，选定强场区舍弃弱场区，将强场区作为有效积分区间；在有效积分区间上布置电场传感器阵列；获取传感器阵列在有效积分区间上的电场强度，采用电场积分法确定被测设备的电压。本发明在测量过程中能够提高数据的有效度，大幅度降低其它不利因素的影响，进而可以对被测设备对象的电压值进行精准测量。
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公开(公告)号：CN116040577A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310039782.9
申请日：2023-01-11
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种制备压电驱动MEMS电场传感器的工艺方法，对SOI片双面热氧化；在SOI片正面的绝缘层上制备粘接层和下驱动电极层；在下驱动电极层上制备压电材料层；在压电材料层上制备上驱动电极层，并剥离上驱动电极层；刻蚀压电材料层；刻蚀下驱动电极层和粘接层；刻蚀SOI片正面的绝缘层；在SOI片正面的顶硅层上制备感应电极焊盘；刻蚀SOI片正面的顶硅层；在SOI片正面旋涂保护材料；去除SOI片背面的绝缘层，并刻蚀SOI片的底硅层和埋氧层；去除SOI片正面的保护材料，得到MEMS电场传感器。本发明制备工艺简单、成本低，利于大规模生产。
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公开(公告)号：CN115508627B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202211173038.X
申请日：2022-09-26
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明实施例公开了一种基于狭缝跑道型微环的硅基波导电场传感芯片及测量方法，芯片包括：自下而上设置的硅衬底层、埋氧层和硅刻蚀层，硅刻蚀层包括干涉结构和微环结构；干涉结构包括马赫曾德尔型调制波导和位于马赫曾德尔型调制波导输入和输出两侧的耦合光栅波导，光刻胶覆盖于马赫曾德尔型调制波导上；微环结构包括从外向内设置的跑道型微环外环波导和跑道型微环内环波导，两个波导之间具有狭缝，电光聚合物薄膜覆盖于微环结构上且将狭缝填充；马赫曾德尔型调制波导的一侧调制臂与跑道型微环外环波导的部分重叠。本发明通过优化微环结构和引入狭缝聚合物波导，解决了输出功率小，耦合不到位的问题，有效提升了传感芯片的线性度与灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117741231A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311766018.8
申请日：2023-12-20
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司 , 重庆大学
IPC: G01R19/155 , G01R1/04
Abstract: 本发明属于传感与量测技术领域，公开一种非侵入式高压输电线路验电装置及方法；所述装置包括无线连接的高压验电器与用户终端；所述高压验电器包括：固定主体、活动环组件和MEMS电压传感器；固定主体包括主体部和设置于主体部顶部的固定环；固定环和主体部之间形成一个倾斜设置的导线出入开口；活动环组件包括活动环和活动环驱动部；主体部中设有一个滑动槽，所述滑动槽中安装有活动环；活动环连接所述活动环驱动部；所述活动环驱动部用于驱动活动环封闭或者打开所述导线出入开口；所述主体部中安装有MEMS电压传感器。本发明将通常固定的卡环式结构设计成固定和活动部件组合的形式，实现对导线电压测量的同时，实现现场输电导线的快速安装和拆卸。
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公开(公告)号：CN112946342A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110099924.1
申请日：2021-01-25
Applicant: 重庆大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种基于电光聚合物和微环谐振器的电压测量系统，所述系统包括：自下而上层叠设置的硅衬底层、二氧化硅下包层和单晶硅芯层，其中，所述单晶硅芯层包括耦合的直波导和环形波导，所述直波导的两端分别用于输入光和输出光；以及覆盖在所述环形波导上的电光聚合物薄膜，其中，所述电光聚合物薄膜的有效折射率在被测电压作用下发生改变时，所述环形波导的有效折射率相应发生改变，使所述直波导的输出光的谐振波长发生漂移，以实现对所述被测电压的测量。本发明还公开了一种基于电光聚合物和微环谐振器的电压测量系统的测量方法。本发明利用电光聚合物的电光性能和微环谐振器的谐振特性，基于光电效应实现电压的实时感知测量。
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公开(公告)号：CN112924741A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110099932.6
申请日：2021-01-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微环耦合马赫曾德尔结构的电压测量系统，包括：自下而上依次键合的硅衬底层、二氧化硅层和顶硅层，顶硅层包括输入波导、Y型分束器、耦合的第一环形波导和第一直波导、耦合的第二环形波导和第二直波导、Y型耦合器和输出波导；以及覆盖在第一环形波导上的电光聚合物薄膜，电光聚合物薄膜的有效折射率在被测电压作用下发生改变时，第一环形波导的有效折射率相应发生改变，使第一直波导和第二直波导的输出光之间产生相位差，实现对被测电压的测量。本发明还公开了一种基于微环耦合马赫曾德尔结构的电压测量系统的测量方法。本发明利用电光聚合物的电光性能和微环马赫曾德尔结构的谐振特性，基于电光效应实现电压实时感知测量。
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公开(公告)号：CN112924741B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110099932.6
申请日：2021-01-25
Applicant: 重庆大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微环耦合马赫曾德尔结构的电压测量系统，包括：自下而上依次键合的硅衬底层、二氧化硅层和顶硅层，顶硅层包括输入波导、Y型分束器、耦合的第一环形波导和第一直波导、耦合的第二环形波导和第二直波导、Y型耦合器和输出波导；以及覆盖在第一环形波导上的电光聚合物薄膜，电光聚合物薄膜的有效折射率在被测电压作用下发生改变时，第一环形波导的有效折射率相应发生改变，使第一直波导和第二直波导的输出光之间产生相位差，实现对被测电压的测量。本发明还公开了一种基于微环耦合马赫曾德尔结构的电压测量系统的测量方法。本发明利用电光聚合物的电光性能和微环马赫曾德尔结构的谐振特性，基于电光效应实现电压实时感知测量。
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公开(公告)号：CN222233184U
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202323363769.3
申请日：2023-12-11
Applicant: 国网重庆市电力公司永川供电分公司 , 重庆大学
Abstract: 本实用新型提供一种环网柜凝露现象实验装置，涉及环网柜技术领域，包括装置箱，所述装置箱的正面设置有箱门，所述装置箱的两侧均设置有加热装置，两个所述加热装置延伸至装置箱的内部均设置有加热棒，所述装置箱的背面设置有水箱，所述水箱的内部设置有抽水泵，所述抽水泵的输出端设置有出水管，所述出水管延伸至装置箱的内部顶面且等距设置有若干个花洒喷头，所述装置箱的内部底面设置有承载座，相比较现有的环网柜凝露现象实验装置，在对环网柜进行凝露现象实验时能够有更多种实验环境，且实验的数据能够直接进行比对分析，提升了环网柜凝露现象实验装置在对环网柜进行凝露现象实验时的便捷性以及实用性。
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