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发明公开
一种基于超临界流体的蒙脱石纳米片干法制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118851191A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411115586.6

申请日：2024-08-14

Applicant: 郑州大学

Inventor： 王伟 , 曹亦俊 , 范桂侠 , 彭伟军 , 张自威 , 樊祥博

IPC: C01B33/40 , B82Y40/00 , B01J3/04

Abstract: 本发明涉及一种基于超临界流体的蒙脱石纳米片干法制备方法，属于二维粘土纳米片制备技术领域，解决了现有技术中无法直接通过干法剥离获得少层或单层蒙脱石纳米片的问题。一种基于超临界流体的蒙脱石纳米片干法制备方法，包括如下步骤：(1)将蒙脱石原矿置入超临界高压反应釜中；(2)通入气体，打开加热炉，使釜内压力和温度达到设定值；(3)气体达到超临界状态后，开启搅拌，促使超临界流体与蒙脱石原矿充分接触；(4)反应一定时间后，迅速打开泄压阀，使釜内压力降到常压；(5)获得蒙脱石纳米片干粉。实现了大尺寸蒙脱石纳米片的绿色干法剥离。

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