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公开(公告)号：CN116790252B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202310527348.5
申请日：2023-05-11
申请人： 邯郸学院
摘要： 本发明适用于纳米材料合成技术领域，提供了一种近红外II区荧光硫硒化银量子点的制备方法，包括以下步骤：制备银前驱体溶液；制备硒前驱体溶液：将硒源和还原剂溶解在去离子水中，在氮气保护下，经过搅拌、加热至澄清，降到室温后得到硒前驱体溶液；制备硫前驱体溶液；合成硫硒化银合金量子点。本发明还提供了一种近红外II区荧光硫硒化银量子点的制备方法制备得到的近红外II区荧光硫硒化银量子点。本发明还提供了一种近红外II区荧光硫硒化银量子点在近红外传感探测、近红外生物成像以及载药治疗器件上的应用。本发明利用还原剂将硒源的活性降低到与硫前驱体相似的活性，实现三元合金的形成，反应条件温和可控、操作简便。
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公开(公告)号：CN117660004A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311353485.8
申请日：2023-10-19
申请人： 邯郸学院
摘要： 本申请适用于材料技术领域，提供了一种Zn3P2量子点、Zn3P2@ZnS核壳量子点及其制备方法、应用，包括：将无机锌盐、有机胺溶剂和非配位溶剂混合均匀，得锌前驱体溶液；将有机磷前驱体、有机胺溶剂和非配位溶剂混合均匀，得磷前驱体溶液；将所述锌前驱体溶液加热至180℃‑220℃，并快速注入所述磷前驱体溶液，得Zn3P2量子点。本申请通过优化磷锌配比以及工艺参数，可获得尺寸小的Zn3P2量子点，为后续Zn3P2@ZnS核壳量子点的制备提供基础。所得的Zn3P2@ZnS核壳量子点，形貌均一、结晶性好，提高了蓝光磷化锌基量子点的荧光量子产率，在照明和显示、荧光探测等领域具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN117363359A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311054346.5
申请日：2023-08-21
申请人： 邯郸学院
摘要： 本发明公开了一种蓝光InP/ZnSe/ZnS核壳量子点及制备方法，包括下述步骤：1)将金属铟前驱体溶液和非金属磷前驱体溶液在200℃～240℃混合、反应，得到InP量子点体系；2)所述InP量子点体系中加入低浓锌前驱体溶液，在200℃～240℃反应；然后加入低浓硒前驱体溶液，升温至260～290℃，再加入高浓锌前驱体溶液，升温至300～320℃后反应；然后加入高浓硒前驱体溶液，进行反应，即可得到InP/ZnSe核壳量子点体系；3)所述InP/ZnSe核壳量子点体系中加入硫前驱体溶液和锌前驱体溶液，升温至320～330℃反应；固液分离后，得到InP/ZnSe/ZnS核壳量子点。本方法面向显示应用合成出荧光峰位置在455～475nm区间且荧光半峰宽小于50nm的蓝色荧光InP/ZnSe/ZnS核壳量子点，简便易行、条件温和。
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公开(公告)号：CN114804187A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210288495.7
申请日：2022-03-22
申请人： 邯郸学院
摘要： 本发明涉及无机材料制备技术领域，为了解决现有的开口硫化铜空心纳米球制备方法存在操作复杂的问题，公开了一种开口硫化铜空心纳米球的制备方法，包括以下制备方法：制备金属前驱体溶液、制备非金属前驱体溶液，合成开口硫化铜空心纳米球：将金属前驱体溶液、非金属前驱体溶液、有机配体溶液、刻蚀溶液和极性溶剂搅拌后，放入高压反应釜中，在溶剂热反应条件下反应即得。本发明中开口硫化铜空心纳米球的合成方法操作简单、条件温和；利用本发明的制备方法可制备出开口尺寸和球体粒径均一的高品质开口硫化铜空心纳米球；本发明制备所得的开口硫化铜空心纳米球在光电器件、载药治疗以及催化领域具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN116790252A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310527348.5
申请日：2023-05-11
申请人： 邯郸学院
摘要： 本发明适用于纳米材料合成技术领域，提供了一种近红外II区荧光硫硒化银量子点的制备方法，包括以下步骤：制备银前驱体溶液；制备硒前驱体溶液：将硒源和还原剂溶解在去离子水中，在氮气保护下，经过搅拌、加热至澄清，降到室温后得到硒前驱体溶液；制备硫前驱体溶液；合成硫硒化银合金量子点。本发明还提供了一种近红外II区荧光硫硒化银量子点的制备方法制备得到的近红外II区荧光硫硒化银量子点。本发明还提供了一种近红外II区荧光硫硒化银量子点在近红外传感探测、近红外生物成像以及载药治疗器件上的应用。本发明利用还原剂将硒源的活性降低到与硫前驱体相似的活性，实现三元合金的形成，反应条件温和可控、操作简便。
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公开(公告)号：CN116443919A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310364810.4
申请日：2023-04-07
申请人： 邯郸学院
摘要： 本发明公开了一种亚纳米尺寸氧化镓纳米线的制备方法，其工艺为：（1）将无机镓盐溶解在有机胺和有机膦混合溶剂中，在惰性气体条件下，搅拌、加热至澄清；（2）然后将混合溶剂移入高压釜中，并引入活化试剂，在溶剂热反应条件下反应，即可得到亚纳米尺寸氧化镓纳米线。本合成方法操作简单、条件温和；采用该方法能制备出亚纳米尺寸的高品质氧化镓纳米线，直径为1.0±0.2nm、长度为200～300nm，具有形貌均匀、线径均一、结晶性良好等优点；所得亚纳米尺寸氧化镓纳米线在光电器件、传感探测以及催化领域具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN116462164B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310373393.X
申请日：2023-04-10
申请人： 邯郸学院
摘要： 本发明公开了一种制备碲基超薄半导体纳米片的方法，其方法步骤为：（1）取金属前驱体溶解在烷基胺和非配体溶液中，在惰性环境下通过搅拌、加热使溶液澄清，降温后即获得金属前驱体溶液；（2）取碲源溶解在有机膦溶液中，在惰性环境下通过搅拌、加热使溶液澄清，降温后即获得碲前驱体溶液；（3）将金属前驱体溶液和碲前驱体溶液以及金属硼氢化合物放入反应釜中，在惰性气体保护下进行反应，即可获得碲基超薄半导体纳米片。本合成方法操作简便、反应条件温和、可适用多个反应体系；利用该方法可制备出厚度小于3纳米的碲基超薄半导体纳米片；制备的产品在光电探测、光电催化等领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN117658201A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311353923.0
申请日：2023-10-19
申请人： 邯郸学院
摘要： 本发明适用于无机材料技术领域，提供了一种锰掺杂硫化锌超薄纳米片及其制备方法，包括：将无机锌盐溶于极性溶剂和配位有机溶剂的混合液中，得到锌前驱体溶液；在所述锌前驱体溶液中加入硫源以及锰盐，充分搅拌至溶解，经溶剂热反应处理，即得锰掺杂硫化锌超薄纳米片；其中，所述配位有机溶剂为乙二胺、三乙胺中的一种或两种。本申请合成方法操作简单、条件温和，所得锰掺杂硫化锌超薄纳米片具有良好的发光性能，在光电器件及催化领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN114804187B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210288495.7
申请日：2022-03-22
申请人： 邯郸学院
摘要： 本发明涉及无机材料制备技术领域，为了解决现有的开口硫化铜空心纳米球制备方法存在操作复杂的问题，公开了一种开口硫化铜空心纳米球的制备方法，包括以下制备方法：制备金属前驱体溶液、制备非金属前驱体溶液，合成开口硫化铜空心纳米球：将金属前驱体溶液、非金属前驱体溶液、有机配体溶液、刻蚀溶液和极性溶剂搅拌后，放入高压反应釜中，在溶剂热反应条件下反应即得。本发明中开口硫化铜空心纳米球的合成方法操作简单、条件温和；利用本发明的制备方法可制备出开口尺寸和球体粒径均一的高品质开口硫化铜空心纳米球；本发明制备所得的开口硫化铜空心纳米球在光电器件、载药治疗以及催化领域具有广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN118344599A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410246502.6
申请日：2024-03-05
申请人： 邯郸学院
摘要： 本申请适用于材料技术领域，提供了纳米片状锰基金属有机骨架材料及其制备方法、光电器件，包括：将无机锰盐溶于极性溶剂中，得到锰前驱体溶液；将配位有机物和活化剂溶于极性溶剂中，并与所述锰前驱体溶液充分搅拌混合均匀后，置于高压反应釜中，在溶剂热反应条件下100‑180℃反应3‑24h，得到纳米片状锰基金属有机骨架材料；其中，所述无机锰盐与配位有机物的摩尔比为(0.2～8.0)：(0.2‑3.0)。本申请制备方法操作简单、条件温和，可制备出发光性能良好的超薄纳米片状锰基MOFs材料，其由一维链状结构堆叠而成，材料发射浅绿色荧光，且该超薄纳米片状锰基MOFs材料在光电器件及催化领域具有潜在的应用价值。
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