- 专利标题: 一种近红外II区荧光硫硒化银量子点及制备方法、应用
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申请号: CN202310527348.5申请日: 2023-05-11
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公开(公告)号: CN116790252A公开(公告)日: 2023-09-22
- 发明人: 李冬 , 李小丽 , 白欣
- 申请人: 邯郸学院
- 申请人地址: 河北省邯郸市邯山区学院北路530号
- 专利权人: 邯郸学院
- 当前专利权人: 邯郸学院
- 当前专利权人地址: 河北省邯郸市邯山区学院北路530号
- 代理机构: 深圳市洪荒之力专利代理有限公司
- 代理商 谢艳红
- 主分类号: C09K11/88
- IPC分类号: C09K11/88 ; B82Y20/00 ; B82Y40/00 ; G01N21/64 ; A61K47/02
摘要:
本发明适用于纳米材料合成技术领域,提供了一种近红外II区荧光硫硒化银量子点的制备方法,包括以下步骤:制备银前驱体溶液;制备硒前驱体溶液:将硒源和还原剂溶解在去离子水中,在氮气保护下,经过搅拌、加热至澄清,降到室温后得到硒前驱体溶液;制备硫前驱体溶液;合成硫硒化银合金量子点。本发明还提供了一种近红外II区荧光硫硒化银量子点的制备方法制备得到的近红外II区荧光硫硒化银量子点。本发明还提供了一种近红外II区荧光硫硒化银量子点在近红外传感探测、近红外生物成像以及载药治疗器件上的应用。本发明利用还原剂将硒源的活性降低到与硫前驱体相似的活性,实现三元合金的形成,反应条件温和可控、操作简便。
公开/授权文献
- CN116790252B 一种近红外II区荧光硫硒化银量子点及制备方法、应用 公开/授权日:2024-05-03