公开(公告)号：CN1892252A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610106475.4

申请日：2006-06-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·A·克尼斯 ,  A·M·斯里瓦斯塔瓦 ,  S·J·杜克洛斯 ,  T·F·麦努尔蒂 ,  S·P·M·罗赖洛 ,  L·L·克拉克 ,  K·C·布尔 ,  A·伊文 ,  T·R·安德逊

IPC: G01T1/20 ,  G01T3/06

CPC classification number: G01T3/06 ,  G01T1/2008

Abstract: 一种由辐射触发的感应元件(10)或检测器，其包含由伽马辐射触发的第一闪烁器(12)，以及中子感应层(16)，该中子感应层包含由中子辐射触发的第二闪烁器(14)。

公开(公告)号：CN101102976A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200580038309.9

申请日：2005-11-01

Applicant: 通用电气公司

Inventor： S·P·M·洛雷罗 ,  S·J·斯托克洛萨 ,  J·S·瓦图利 ,  J·A·布鲁尔 ,  T·F·麦努尔蒂 ,  V·S·文卡塔拉马尼 ,  M·马诺哈兰

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/505 ,  C04B35/50

CPC classification number: C04B35/505 ,  C04B35/44 ,  C04B35/50 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63424 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/9653

Abstract: 提供一种制备具有平均晶粒直径小于1微米的多阳离子陶瓷的方法。该方法包括以下步骤：提供至少第一材料和第二材料，其中第一材料包含第一阳离子，第二材料包含第二阳离子，并且其中第一阳离子和第二阳离子相互不相同，第一材料和第二材料每一都是纳米粉；形成包含第一材料和第二材料的混合物；由混合物形成坯体；形成包括第一阳离子和第二阳离子的致密多阳离子陶瓷材料，其中致密多阳离子陶瓷材料包含含有第一阳离子和第二阳离子的主相，该主相与第一材料和第二材料不同。多阳离子陶瓷具有高密度和高的直线透射率。

公开(公告)号：CN101386412B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810215937.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努尔蒂 ,  B·G·诺尔曼 ,  M·P·德艾芙琳 ,  R·舒巴

IPC: C01B33/025 ,  F02B43/10 ,  F02B63/04

CPC classification number: C01B33/025 ,  F27D17/004 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 生产太阳能级硅的系统和方法，其中包含硅石和碳的起始材料被加热形成中间材料。该中间材料包含硅石和碳化硅。所述中间材料反应形成硅。通过加热起始材料以及使中间材料反应所产生的至少一些排放物被收集并用于产生电力。

公开(公告)号：CN101386412A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215937.5

申请日：2008-09-12

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努尔蒂 ,  B·G·诺尔曼 ,  M·P·德艾芙琳 ,  R·舒巴

IPC: C01B33/025 ,  F02B43/10 ,  F02B63/04

CPC classification number: C01B33/025 ,  F27D17/004 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 生产太阳能级硅的系统和方法，其中包含硅石和碳的起始材料被加热形成中间材料。该中间材料包含硅石和碳化硅。所述中间材料反应形成硅。通过加热起始材料以及使中间材料反应所产生的至少一些排放物被收集并用于产生电力。

公开(公告)号：CN101239722A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710194412.3

申请日：2007-08-03

Applicant: 通用电气公司

Inventor： T·F·麦努尔蒂 ,  M·P·德埃夫林 ,  J·T·莱曼 ,  R·舒巴

IPC: C01B33/025

CPC classification number: C01B33/025 ,  B01J8/087 ,  B01J8/12 ,  B01J2208/00407 ,  B01J2208/00415 ,  B01J2208/00469 ,  B01J2208/0053

Abstract: 提供一种制备太阳能级硅的装置和方法。该方法包括提供包含颗粒和置于至少一些颗粒之上的涂层的起始材料，其中所述颗粒包含二氧化硅，所述涂层包含碳。该方法进一步包括加热起始材料形成中间产物，并进一步使中间产物反应以生成太阳能级硅。