公开(公告)号：CN102483462B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201080039569.9

申请日：2010-08-03

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·张 ,  杜岩峰 ,  J·E·特拉茨克 ,  Z·吴 ,  I·布莱维斯

IPC: G01T1/24

CPC classification number: H01L31/115 ,  H01L31/1185

Abstract: 辐射检测器包括：半导体晶体，其具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；第一电极，其与该半导体晶体的该第一表面电耦合来允许电流在该第一电极与该晶体之间流动；以及在该第一表面上并且在该半导体晶体和该第一电极之间以便在该第一电极和该晶体之间形成部分透射的电阻挡的绝缘层。该绝缘层具有范围在大约50纳米至大约500纳米之间的厚度。

公开(公告)号：CN102483462A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039569.9

申请日：2010-08-03

Applicant: 通用电气公司

Inventor： M·张 ,  杜岩峰 ,  J·E·特拉茨克 ,  Z·吴 ,  I·布莱维斯

IPC: G01T1/24

CPC classification number: H01L31/115 ,  H01L31/1185

Abstract: 辐射检测器包括：半导体晶体，其具有第一表面和与该第一表面相对的第二表面；第一电极，其与该半导体晶体的该第一表面电耦合来允许电流在该第一电极与该晶体之间流动；以及在该第一表面上并且在该半导体晶体和该第一电极之间以便在该第一电极和该晶体之间形成部分透射的电阻挡的绝缘层。该绝缘层具有范围在大约50纳米至大约500纳米之间的厚度。