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公开(公告)号：CN1329131C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN00818965.X
申请日：2000-11-15
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及一种多层制品，其包含基材(10)；其包含分子式为R2Si(OR’)2的二有机基二有机氧基硅烷的部分缩合物或分子式为RSi(OR’)3的有机基三有机氧基硅烷的部分缩合物或二者的部分缩合物的第一层(20)，其中，R独立地选自有含有约1-3个碳原子的烷基、含有约6-13个碳原子的芳基、乙烯基、3，3，3-三氟丙基、γ-缩甘油氧丙基和γ-甲基丙烯酰氧基丙基，R’独立地选自含有约1-8个碳原子的烷基、含有约6-20个碳原子的芳基、和氢；和在第一层上沉积的第二层(30)，所述第二层包含已经在等离子体中聚合并氧化的有机硅物质，所述第二层中含有硅、氧、碳和氢。
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公开(公告)号：CN101591511B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN200910134655.7
申请日：2009-03-12
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08J5/24 , B32B5/024 , B32B5/26 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B2260/021 , B32B2260/023 , B32B2260/046 , B32B2262/0261 , B32B2262/0276 , B32B2262/101 , B32B2262/106 , B32B2307/306 , B32B2307/50 , B32B2307/712 , B32B2307/714 , B32B2307/718 , B32B2307/734 , B32B2603/00 , C08J2363/10 , C09J4/00 , C09J131/02
Abstract: 本发明涉及用于结合复合材料的粘合制剂，其通常包括丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯单体、重均分子量为约450至约3000的乙烯基酯树脂和催化剂。还公开了用该粘合制剂粘合复合材料的方法，及采用该粘合制剂的树脂浸渍层压法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101591511A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910134655.7
申请日：2009-03-12
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08J5/24 , B32B5/024 , B32B5/26 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B2260/021 , B32B2260/023 , B32B2260/046 , B32B2262/0261 , B32B2262/0276 , B32B2262/101 , B32B2262/106 , B32B2307/306 , B32B2307/50 , B32B2307/712 , B32B2307/714 , B32B2307/718 , B32B2307/734 , B32B2603/00 , C08J2363/10 , C09J4/00 , C09J131/02
Abstract: 本发明涉及用于结合复合材料的粘合制剂，其通常包括丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯单体、重均分子量为约450至约3000的乙烯基酯树脂和催化剂。还公开了用该粘合制剂粘合复合材料的方法，及采用该粘合制剂的树脂浸渍层压法。
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公开(公告)号：CN1939957A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610141325.7
申请日：2006-09-29
Applicant: 通用电气公司
IPC: C08J7/04 , C09D129/04 , C09D139/02 , C08K5/29 , B01D71/82
CPC classification number: B01D67/0088 , B01D67/0093 , B01D71/36 , B01D71/38 , B01D71/44 , B01D2323/02 , B01D2323/30 , B01D2323/32 , B01D2325/36 , H01M8/1027 , H01M8/103 , H01M8/1053 , H01M8/1058 , H01M8/1081 , H01M10/0565 , H01M2300/0082 , Y02P70/56
Abstract: 提供了一种膜，该膜可以包括微孔基础膜；和设置在该膜表面上的可交联涂层。所述涂料可以包括聚乙烯基亲核聚合物和尿烷或者封端的异氰酸酯。所述涂料可以是经交联的。还提供了制备该膜的方法。
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公开(公告)号：CN1293551C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN02806642.1
申请日：2002-02-06
Applicant: 通用电气公司
Inventor： E·M·布雷通 , E·M·S·范哈梅斯韦德 , D·R·奥尔森 , M·B·维斯努德尔
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B20/00086 , G11B7/24 , G11B20/00608 , G11B20/0084 , G11B23/282 , Y10S430/146 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明涉及一种有限运行光储存介质和限制访问其上的数据的方法。该储存介质包括：一种光透明基材(5)；一个反射层(7)；一个布置在所述基材和所述反射层之间的数据储存层(9)；一个布置在所述基材与所述数据储存层相反的一侧上的氧可透过性紫外涂层(1)；和布置在所述紫外涂层和所述基材之间的反应层，所述反应层具有约50%或更大的初始反射率和约45%或更小的后续反射率。
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公开(公告)号：CN1496563A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN02806642.1
申请日：2002-02-06
Applicant: 通用电气公司
Inventor： E·M·布雷通 , E·M·S·范哈梅斯韦德 , D·R·奥尔森 , M·B·维斯努德尔
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B20/00086 , G11B7/24 , G11B20/00608 , G11B20/0084 , G11B23/282 , Y10S430/146 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507 , Y10T428/31721 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明涉及一种有限运行光储存介质和限制访问其上的数据的方法。该储存介质包括：一种光透明基材(5)；一个反射层(7)；一个布置在所述基材和所述反射层之间的数据储存层(9)；一个布置在所述基材与所述数据储存层相反的一侧上的氧可透过性紫外涂层(1)；和布置在所述紫外涂层和所述基材之间的反应层，所述反应层具有约50％或更大的初始反射率和约45％或更小的后续反射率。
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公开(公告)号：CN1434750A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN00818965.X
申请日：2000-11-15
Applicant: 通用电气公司
Abstract: 本发明涉及一种多层制品，其包含基材(10)；其包含分子式为R2Si(OR’)2的二有机基二有机氧基硅烷的部分缩合物或分子式为RSi(OR’)3的有机基三有机氧基硅烷的部分缩合物或二者的部分缩合物的第一层(20)，其中，R独立地选自有含有约1－3个碳原子的烷基、含有约6－13个碳原子的芳基、乙烯基、3，3，3－三氟丙基、γ－缩甘油氧丙基和γ－甲基丙烯酰基氧丙基，R’独立地选自含有约1－8个碳原子的烷基、含有约6－20个碳原子的芳基、和氢；和在第一层上沉积的第二层(30)，所述第二层包含已经在等离子体中聚合并氧化的有机硅物质，所述第二层中含有硅、氧、碳和氢。
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