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公开(公告)号：CN101504463A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910006637.0
申请日：2009-02-06
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明涉及一种带光波导和中子闪烁材料的集成式中子－伽马辐射探测器，具体而言，一种集成式中子－伽马辐射探测器包括伽马传感元件，中子传感元件，以及感光元件，中子传感元件包括至少部分地被光波导材料包围的中子闪烁材料，而感光元件光学地耦合在伽马传感元件和中子传感元件两者上。伽马传感元件的一部分可被布置在中子传感元件的中心孔中。在一方面，中子传感元件包括多个圆柱形的同心的壳，其形成用于接收伽马传感元件的中心孔。在另一方面，中子传感元件包括多个束，其形成多层结构，并形成用于接收伽马传感元件的中心孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101504463B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910006637.0
申请日：2009-02-06
Applicant: 通用电气公司
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明涉及一种带光波导和中子闪烁材料的集成式中子-伽马辐射探测器，具体而言，一种集成式中子-伽马辐射探测器包括伽马传感元件，中子传感元件，以及感光元件，中子传感元件包括至少部分地被光波导材料包围的中子闪烁材料，而感光元件光学地耦合在伽马传感元件和中子传感元件两者上。伽马传感元件的一部分可被布置在中子传感元件的中心孔中。在一方面，中子传感元件包括多个圆柱形的同心的壳，其形成用于接收伽马传感元件的中心孔。在另一方面，中子传感元件包括多个束，其形成多层结构，并形成用于接收伽马传感元件的中心孔。
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公开(公告)号：CN101710594B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN200910175518.8
申请日：2009-09-17
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T3/00 , H01L31/032 , H01L31/036
Abstract: 用于辐射吸收和检测的半导体材料，其包括化学计量Li(M12+，M22+，M32+，...)(G1V，G2V，G3V，...)的并且显示出反萤石型排序的组成，其中Li＝1，(M12++M22++M32++...)＝1，和(G1V+G2V+G3V+...)＝1。该材料提供了两个有用的特性：[1]高Li-位点密度，其当富集于6Li时，产生了异常的中子-吸收能力，和[2]用于有效地将所吸收的光子和中子能量转化为电流的半导能带隙。这些特性可在发电或γ和中子辐射的光谱检测的应用中被利用。该材料可以被定制以便仅仅检测γ光子，仅仅检测中子粒子，或同时检测γ光子和中子粒子。
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公开(公告)号：CN101452080B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200810179773.5
申请日：2008-12-03
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T3/06 , G01T1/1642 , G01T1/17
Abstract: 本发明涉及具有自适应选择的伽马阈值的集成中子伽马辐射检测器。揭示了一种集成辐射检测器(10)，具有光耦合于伽马感应元件(18)和中子感应元件(20)的脉冲模式工作光电传感器(24)。该检测器(10)包括脉冲形状和处理电子电路封装(26)，其使用模拟到数字转换器(ADC)和电荷到数字转换器(QDC)来确定闪烁衰减时间，并根据辐射类型分类辐射交互作用。脉冲形状和处理电子电路封装(26)从与由伽马感应元件(18)检测的伽马射线关联的谱中确定最大伽马能量，以便自适应地选择中子感应元件(20)的伽马阈值。归于中子感应元件(20)的光脉冲在该光脉冲的幅度高于伽马阈值时是有效中子事件。
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公开(公告)号：CN101710594A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910175518.8
申请日：2009-09-17
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T3/00 , H01L31/032 , H01L31/036
Abstract: 用于辐射吸收和检测的半导体材料，其包括化学计量Li(M12+，M22+，M32+，...)(G1V，G2V，G3V，...)的并且显示出反萤石型排序的组成，其中Li＝1，(M12++M22++M32++...)＝1，和(G1V+G2V+G3V+...)＝1。该材料提供了两个有用的特性：[1]高Li-位点密度，其当富集于6Li时，产生了异常的中子-吸收能力，和[2]用于有效地将所吸收的光子和中子能量转化为电流的半导能带隙。这些特性可在发电或γ和中子辐射的光谱检测的应用中被利用。该材料可以被定制以便仅仅检测γ光子，仅仅检测中子粒子，或同时检测γ光子和中子粒子。
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公开(公告)号：CN101452080A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810179773.5
申请日：2008-12-03
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: G01T3/06 , G01T1/1642 , G01T1/17
Abstract: 本发明涉及具有自适应选择的伽马阈值的集成中子伽马辐射检测器。揭示了一种集成辐射检测器(10)，具有光耦合于伽马感应元件(18)和中子感应元件(20)的脉冲模式工作光电传感器(24)。该检测器(10)包括脉冲形状和处理电子电路封装(26)，其使用模拟到数字转换器(ADC)和电荷到数字转换器(QDC)来确定闪烁衰减时间，并根据辐射类型分类辐射交互作用。脉冲形状和处理电子电路封装(26)从与由伽马感应元件(18)检测的伽马射线关联的谱中确定最大伽马能量，以便自适应地选择中子感应元件(20)的伽马阈值。归于中子感应元件(20)的光脉冲在该光脉冲的幅度高于伽马阈值时是有效中子事件。
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