公开(公告)号：CN101710594A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910175518.8

申请日：2009-09-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·克罗西尔 ,  A·艾万 ,  D·B·麦德维特

IPC: H01L31/02 ,  G01T1/24

CPC classification number: G01T3/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036

Abstract: 用于辐射吸收和检测的半导体材料，其包括化学计量Li(M12+，M22+，M32+，...)(G1V，G2V，G3V，...)的并且显示出反萤石型排序的组成，其中Li＝1，(M12++M22++M32++...)＝1，和(G1V+G2V+G3V+...)＝1。该材料提供了两个有用的特性：[1]高Li-位点密度，其当富集于6Li时，产生了异常的中子-吸收能力，和[2]用于有效地将所吸收的光子和中子能量转化为电流的半导能带隙。这些特性可在发电或γ和中子辐射的光谱检测的应用中被利用。该材料可以被定制以便仅仅检测γ光子，仅仅检测中子粒子，或同时检测γ光子和中子粒子。

公开(公告)号：CN101710594B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200910175518.8

申请日：2009-09-17

Applicant: 通用电气公司

Inventor： B·A·克罗西尔 ,  A·艾万 ,  D·B·麦德维特

IPC: H01L31/02 ,  G01T1/24

CPC classification number: G01T3/00 ,  H01L31/032 ,  H01L31/036

Abstract: 用于辐射吸收和检测的半导体材料，其包括化学计量Li(M12+，M22+，M32+，...)(G1V，G2V，G3V，...)的并且显示出反萤石型排序的组成，其中Li＝1，(M12++M22++M32++...)＝1，和(G1V+G2V+G3V+...)＝1。该材料提供了两个有用的特性：[1]高Li-位点密度，其当富集于6Li时，产生了异常的中子-吸收能力，和[2]用于有效地将所吸收的光子和中子能量转化为电流的半导能带隙。这些特性可在发电或γ和中子辐射的光谱检测的应用中被利用。该材料可以被定制以便仅仅检测γ光子，仅仅检测中子粒子，或同时检测γ光子和中子粒子。