-
公开(公告)号：CN117089932B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311265796.9
申请日：2023-09-27
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生产领域，包括坩埚、籽晶固定机构及籽晶，籽晶固定机构包括支撑板，支撑板设置于坩埚内且开设有避位孔和与避位孔连通的通气槽，通气槽贯穿避位孔的内表面和支撑板的上表面，籽晶支撑于支撑板的上表面，籽晶遮盖避位孔的全部和通气槽的局部，以使流动至避位孔边缘的气相长晶组分通过通气槽穿过支撑板。通过设置通气槽导通籽晶的下表面与避位孔的内表面之间的夹角与支撑板的上方空间，使得气相长晶组分在向上流动至该夹角处时，可以通过通气槽穿过支撑板而不会在夹角处富集，从而降低晶体在籽晶边缘的生长速率，避免晶体局部形成“凹界面”和多晶生长，提高晶体的生长质量。
-
公开(公告)号：CN117089932A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311265796.9
申请日：2023-09-27
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生产领域，包括坩埚、籽晶固定机构及籽晶，籽晶固定机构包括支撑板，支撑板设置于坩埚内且开设有避位孔和与避位孔连通的通气槽，通气槽贯穿避位孔的内表面和支撑板的上表面，籽晶支撑于支撑板的上表面，籽晶遮盖避位孔的全部和通气槽的局部，以使流动至避位孔边缘的气相长晶组分通过通气槽穿过支撑板。通过设置通气槽导通籽晶的下表面与避位孔的内表面之间的夹角与支撑板的上方空间，使得气相长晶组分在向上流动至该夹角处时，可以通过通气槽穿过支撑板而不会在夹角处富集，从而降低晶体在籽晶边缘的生长速率，避免晶体局部形成“凹界面”和多晶生长，提高晶体的生长质量。
-
公开(公告)号：CN116752237A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310771141.2
申请日：2023-06-27
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请提供了一种籽晶定位方法和晶体生长装置，涉及半导体领域。本申请的籽晶定位方法包括在装载有籽晶的籽晶托下降的过程中，控制驱动件驱动籽晶托转动，并实时获取驱动件向籽晶托输出的转矩；根据驱动件向籽晶托输出的转矩确定籽晶相对于原料熔体的液面的相对位置。在籽晶接触到原料熔体的液面时，由于原料熔体对籽晶的粘滞力，驱动件会向籽晶托输出更大的转矩来平衡粘滞力，以维持籽晶托继续匀速转动。因此，通过获取驱动件向籽晶托输出的转矩，可以判断籽晶是否接触原料熔体的液面。本申请实施例提供的籽晶定位方法灵敏度高，能够准确地确定籽晶相对于原料熔体液面的位置。本申请实施例提供的晶体生长装置能够实现上述的籽晶定位方法。
-
公开(公告)号：CN220977228U
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202322580599.8
申请日：2023-09-21
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本申请公开了一种坩埚和晶体生长装置，涉及半导体制造技术领域。本申请的坩埚包括坩埚主体和坩埚盖，坩埚主体形成具有开口的容纳腔，坩埚盖盖设于坩埚主体的容纳腔的开口处，坩埚盖上具有偏心设置的导气孔。由于导气孔是偏心设置的，因此在长晶面与坩埚同轴设置的情况下，瞬态长晶区域偏离中心轴线，实现非均匀对称式的晶体生长模式。随着坩埚相对于长晶面旋转，长晶气相组分沉积到长晶面上的位置周期性变换，同一时间整个晶体生长面范围只有部分区域有沉积生长，可尽量降低晶体生长中心的数量，从而减少不同生长中心之间台阶流的汇合和碰撞，提高晶体生长质量。本申请提供的晶体生长装置包括上述的坩埚，有利于提高晶体生长质量。
-
公开(公告)号：CN219653187U
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202321399277.7
申请日：2023-06-02
申请人： 通威微电子有限公司
摘要： 本实用新型提供了一种用于提高碳化硅粉末利用率的生长装置及设备，属于碳化硅晶体生长领域，本生长设备的生长装置包括坩埚盖和坩埚体，坩埚体包括底壁和侧壁，底壁连接于侧壁的底端，坩埚盖可拆卸连接于侧壁的顶端。底壁包括环形部和凸设部，环形部的外周壁与侧壁的底端连接，凸设部连接于环形部的内周壁且向坩埚盖延伸。通过在坩埚体的底壁设置凸设部，可以有效增大坩埚体的底壁与中心位置的碳化硅粉末的接触面积，从而提高对中心位置的碳化硅粉末的加热效果，促进中心位置的碳化硅粉末的升华，提高碳化硅粉末的利用率。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.029 秒)
