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公开(公告)号:CN116018258A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202180052567.1
申请日:2021-08-18
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: B32B7/025
Abstract: 本发明提供兼顾低电阻和高透过率的导电性层叠体以及提供具备该导电性层叠体的各种光学元件、导电性层叠体的制造方法。导电性层叠体(1)在透明基材(2)的至少1面上从透明基材(2)侧起依次层叠有第一金属氧化物层(3)、金属层(4)和第二金属氧化物层(5),第一金属氧化物层(3)的透明基材侧(2)的界面的算术平均粗糙度为2.0nm以下。例如,导电性层叠体(1)中,第一金属氧化物层(3)的透明基材(2)侧的界面为透明基材(2)的表面。另外,在透明基材(2)与第一金属氧化物层(3)之间进一步具备树脂层(6)的导电性层叠体(1A)中,第一金属氧化物层(3)的透明基材(2)侧的界面为树脂层(6)的表面。