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公开(公告)号：CN105555689A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480040459.2
申请日：2014-07-07
Applicant: 迪睿合株式会社
Inventor： 森大地
CPC classification number: B65H19/1852 , B65H2301/46017 , B65H2301/46222 , B65H2801/87 , H01L31/0512 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种导电粘合带的连接方法，该方法包括连接工序：将第1导电粘合带和第2导电粘合带接合，所述连接工序包括：第1贴合处理，使所述第1导电粘合带中所含的第1脱模薄膜的第1粘合层侧的表面和所述第2导电粘合带中所含的第2脱模薄膜的与第2粘合层侧相反侧的表面贴合；以及第2贴合处理，使所述第1导电粘合带中所含的第1导电性基材的与第1粘合层侧相反侧的表面和所述第2粘合层的所述第2脱模薄膜侧的表面贴合。
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公开(公告)号：CN108291115A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680070228.5
申请日：2016-12-13
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J163/00 , H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: C09J7/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J163/00 , H01L21/304
Abstract: 提供能够减少半导体晶圆的翘曲，并且减少碎片的发生的热固化性粘接片及半导体装置的制造方法。在切割之前对半导体晶圆的研磨面粘合热固化性粘接片并使之固化，该热固化性粘接片具有由含有包含环氧化合物和固化剂的树脂成分、和填充剂的树脂组合物形成的热固化性粘接层，对环氧化合物的环氧当量的倒数乘以树脂成分中的环氧化合物的含有率后的值的总和为1.15E－04以上，且填充剂的配合量相对于树脂成分100质量份而言是50质量份以上。
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公开(公告)号：CN108291116B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201680070276.4
申请日：2016-12-13
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J4/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 提供可以减少半导体晶片的翘曲，同时减少破片产生的热固化性粘接片、和半导体装置的制造方法。热固化性粘接片具有由树脂组合物形成的热固化性粘接层，所述树脂组合物具有：含有包含(甲基)丙烯酸酯和聚合引发剂的树脂成分和填料的热固化性粘接剂层，(甲基)丙烯酸酯包含固形(甲基)丙烯酸酯和三官能以上的(甲基)丙烯酸酯，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为55wt％以上，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.7E‑03以上，填料的掺混量相对于树脂成分100质量份为80～220质量份。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107431003B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201680017136.0
申请日：2016-03-29
Applicant: 迪睿合株式会社
Inventor： 森大地
IPC: H01L21/301 , C09J7/35 , C09J133/00 , C09J171/00 , C09J11/08 , C09J11/06 , C09J7/10 , C09J7/20 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够减小半导体晶片的翘曲的热固化性粘接片以及半导体装置的制造方法。将热固化性粘接片在切割前贴合于半导体晶片的研磨面且使之固化，上述热固化性粘接片含有包含弹性体的聚合物、全部(甲基)丙烯酸酯中包含超过95wt％的多官能(甲基)丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸酯、1分钟半衰期温度为130℃以下的有机过氧化物、和光透过性填料。由此，热固化性粘接片大幅收缩，产生与半导体晶片的翘曲相反方向的应力，因此能够使半导体晶片维持为平坦的状态。
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公开(公告)号：CN108291115B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201680070228.5
申请日：2016-12-13
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J11/08 , C09J163/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 提供能够减少半导体晶圆的翘曲，并且减少碎片的发生的热固化性粘接片及半导体装置的制造方法。在切割之前对半导体晶圆的研磨面粘合热固化性粘接片并使之固化，该热固化性粘接片具有由含有包含环氧化合物和固化剂的树脂成分、和填充剂的树脂组合物形成的热固化性粘接层，对环氧化合物的环氧当量的倒数乘以树脂成分中的环氧化合物的含有率后的值的总和为1.15E－04以上，且填充剂的配合量相对于树脂成分100质量份而言是50质量份以上。
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公开(公告)号：CN108291116A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680070276.4
申请日：2016-12-13
Applicant: 迪睿合株式会社
IPC: C09J7/10 , C09J4/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L21/301 , H01L21/304
CPC classification number: C09J7/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , H01L21/304
Abstract: 提供可以减少半导体晶片的翘曲，同时减少破片产生的热固化性粘接片、和半导体装置的制造方法。热固化性粘接片具有由树脂组合物形成的热固化性粘接层，所述树脂组合物具有：含有包含(甲基)丙烯酸酯和聚合引发剂的树脂成分和填料的热固化性粘接剂层，(甲基)丙烯酸酯包含固形(甲基)丙烯酸酯和三官能以上的(甲基)丙烯酸酯，树脂成分中的固形(甲基)丙烯酸酯的含有率为55wt％以上，树脂成分中的(甲基)丙烯酸酯的含有率乘以(甲基)丙烯酸酯的每单位分子量的官能团数所得的值的总和为2.7E-03以上，填料的掺混量相对于树脂成分100质量份为80～220质量份。
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公开(公告)号：CN105555689B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201480040459.2
申请日：2014-07-07
Applicant: 迪睿合株式会社
Inventor： 森大地
CPC classification number: B65H19/1852 , B65H2301/46017 , B65H2301/46222 , B65H2801/87 , H01L31/0512 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种导电粘合带的连接方法，该方法包括连接工序：将第1导电粘合带和第2导电粘合带接合，所述连接工序包括：第1贴合处理，使所述第1导电粘合带中所含的第1脱模薄膜的第1粘合层侧的表面和所述第2导电粘合带中所含的第2脱模薄膜的与第2粘合层侧相反侧的表面贴合；以及第2贴合处理，使所述第1导电粘合带中所含的第1导电性基材的与第1粘合层侧相反侧的表面和所述第2粘合层的所述第2脱模薄膜侧的表面贴合。
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公开(公告)号：CN107431003A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680017136.0
申请日：2016-03-29
Applicant: 迪睿合株式会社
Inventor： 森大地
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J133/00 , H01L21/304 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够减小半导体晶片的翘曲的热固化性粘接片以及半导体装置的制造方法。将热固化性粘接片在切割前贴合于半导体晶片的研磨面且使之固化，上述热固化性粘接片含有包含弹性体的聚合物、全部(甲基)丙烯酸酯中包含超过95wt％的多官能(甲基)丙烯酸酯的(甲基)丙烯酸酯、1分钟半衰期温度为130℃以下的有机过氧化物、和光透过性填料。由此，热固化性粘接片大幅收缩，产生与半导体晶片的翘曲相反方向的应力，因此能够使半导体晶片维持为平坦的状态。
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