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公开(公告)号：CN101679860A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880013109.1
申请日：2008-04-08
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/643 , C01F7/002 , C01P2002/60 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C09K11/695 , C09K11/7731
Abstract: 本发明提供基于电子射线或紫外线的激发而在紫外线区域200～300nm内进行高水平的发光的氧化物发光体。该发光体是由包含异种金属元素或准金属元素的周期表第2A族元素的氧化物构成的、基于电子射线或紫外线的激发而在紫外线区域200～300nm内具有发光峰值的发光体。较好的是所述异种金属元素或准金属元素相对于所述周期表第2A族元素的比例为0.0001～1摩尔％，周期表第2A族元素为Mg，异种金属元素为Al。
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公开(公告)号：CN1854067A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610076518.9
申请日：2006-04-28
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氢氧化镁粒子及其制法以及包含该粒子的树脂组合物。本发明的目的在于提供一种阻燃性优异且对树脂的填充性良好、并且作为半导体封装用树脂的填充剂非常有用的氢氧化镁阻燃剂以及低成本地制造该阻燃剂的方法。一种氢氧化镁阻燃剂，其特征在于包含一种氢氧化镁粒子，该氢氧化镁粒子是晶体外形由相互平行的上下2个六角形底面和形成在这些底面间的周围6个棱柱面构成的六棱柱形状粒子，上述六棱柱形状粒子的c轴方向的尺寸为1.5×10－6～ 6.0×10－6m。
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公开(公告)号：CN101679860B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880013109.1
申请日：2008-04-08
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
CPC classification number: C09K11/643 , C01F7/002 , C01P2002/60 , C01P2004/51 , C01P2004/62 , C09K11/695 , C09K11/7731
Abstract: 本发明提供基于电子射线或紫外线的激发而在紫外线区域200～300nm内进行高水平的发光的氧化物发光体。该发光体是由包含异种金属元素或准金属元素的周期表第2A族元素的氧化物构成的、基于电子射线或紫外线的激发而在紫外线区域200～300nm内具有发光峰值的发光体。较好的是所述异种金属元素或准金属元素相对于所述周期表第2A族元素的比例为0.0001～1摩尔％，周期表第2A族元素为Mg，异种金属元素为Al。
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公开(公告)号：CN100455513C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200610076518.9
申请日：2006-04-28
Applicant: 达泰豪化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种氢氧化镁粒子及其制法以及包含该粒子的树脂组合物。本发明的目的在于提供一种阻燃性优异且对树脂的填充性良好、并且作为半导体封装用树脂的填充剂非常有用的氢氧化镁阻燃剂以及低成本地制造该阻燃剂的方法。一种氢氧化镁阻燃剂，其特征在于包含一种氢氧化镁粒子，该氢氧化镁粒子是晶体外形由相互平行的上下2个六角形底面和形成在这些底面间的周围6个棱柱面构成的六棱柱形状粒子，上述六棱柱形状粒子的c轴方向的尺寸为1.5×10-6～6.0×10-6m。
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