-
公开(公告)号：CN113890333A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111150701.X
申请日：2021-09-29
申请人： 赛卓电子科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种带接反保护的高压稳压电路，包括带反接保护的电压输入模块、内部供电模块和低压稳压模块；电压输入模块用于将输入电压VIN输入电路中，同时具有输入电源VIN和地接反的方向保护功能以及具有防电压倒灌功能。内部供电模块用于给电荷泵和时钟模块供电，并且提供足够高的栅极电压保证低压稳压模块的最低工作电压。低压稳压模块对内部供电模块产生的预稳压电压进行进一步稳压，给芯片提供精确的VREG电压供电。本发明具有宽输入、输出电压稳定、地反接损伤芯片、防止电压倒灌等优点，可用于芯片内部电路供电。本发明可以防止电源、地反接时产生的大电流，避免芯片损伤；同时还可以防止输入电压比内部输出电压低时的电压倒灌。
-
公开(公告)号：CN113162014A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110423493.X
申请日：2021-04-20
申请人： 赛卓电子科技(上海)有限公司
IPC分类号： H02H11/00
摘要： 本发明公开了一种带防反接H桥驱动电路，包括电源正极VDD和电源负极GND，防反、控制电平转换及死区控制电路、晶体管NM5和H桥驱动电路，电源正极VDD直接向防反、控制电平转换及死区控制电路供电，并通过防反接作用的晶体管NM5向H桥驱动电路供电，可防电源电压反接，避免反接误操作烧毁芯片，同时防反接电路采用N型MOS管实现，比P型MOS管实现有更小的导通电阻，也节省了芯片面积。
-
公开(公告)号：CN110069090A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810064958.5
申请日：2018-01-23
申请人： 赛卓电子科技(上海)有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明提供一种高压霍尔位置传感器芯片稳压电路，包括：高压晶体管M1，高压晶体管M1的漏极与电源VDD连接；电压基准和增益单元，电压基准和增益单元的输入端与高压晶体管M1的源极连接，电压基准和增益单元的输出端与高压晶体管M1的栅极连接。与现有技术相比，本发明具有以下优点：解决了电机用霍尔位置传感器电源端的耐高压问题，使得传感器芯片的可靠性有了实质性的提高；整体稳压电路结构简单，高压器件少；解决了霍尔传感器低电压正常工作的问题，和一般稳压电路相比具有更低的工作电压。
-
公开(公告)号：CN113933766A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111150693.9
申请日：2021-09-29
申请人： 赛卓电子科技(上海)有限公司
IPC分类号： G01R33/07
摘要： 本发明提供了一种单芯片闭环线性霍尔传感器电路，旨在解决开环线性霍尔传感器响应速度较慢问题以及改善线性霍尔传感器的灵敏度。该闭环线性霍尔传感器包括霍尔感应点(1)、前馈放大模块(2)、四层金属线圈(3)、电流转电压模块(4)。其中，霍尔感应点(1)同时接受外部磁场和线圈产生的磁场；前馈放大模块(2)将的感应电压差分放大并转换为单端信号输出；四层金属线圈(3)由芯片的金属层绕制而成线圈采用多层金属绕制；电流转电压模块(4)将输入电流转换为输出电压。本发明具有响应速度快、灵敏度高、结构简单、电路实现面积小等优点。本发明电路不受制造工艺的限制，可以广泛地应用于模拟集成电路的各种工艺中。
-
公开(公告)号：CN113359063A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110644062.6
申请日：2021-06-09
申请人： 赛卓电子科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种带接反保护的开路检测压电路，包括防接反PMOS管、耗尽型NMOS管、负压产生电路；低导通电压PMOS管产生耗尽型NMOS管漏端电压VD，用来控制电路整体的通断；耗尽型NMOS管产生源端电压VS经负载调整输出电压；负压产生电路产生耗尽型NMOS管栅端电压VG控制耗尽型NMOS管的导通与截止。本发明采用低导通电压PMOS管，适用于输入电压较低的场合。采用了低导通电压PMOS管，避免了因开路检测电路模块电源反接电流过大而出现芯片烧毁。采用了耗尽型NMOS管，解决芯片在RL为5kΩ～500kΩ范围内，GND开路后VOUT输出电压值小于4.75V的问题。
-
公开(公告)号：CN111600594A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010440930.4
申请日：2020-05-22
申请人： 赛卓电子科技(上海)有限公司
IPC分类号： H03K19/0185
摘要： 本发明公开了一种带接反保护的电平转换电路，包括低压输入模块、高压保护模块、带反接保护的PMOS负载模块和输出保护模块；低压输入模块用于将待转换的低压差分信号LV_INP/LV_INN输入电路中，同时产生高低电平输入高压保护模块；高压保护模块用于避免低压输入模块中的低压MOS器件被高压电平击穿，并将高低电平输入带反接保护的PMOS负载模块；带反接保护的PMOS负载模块既用于电平转换中低压电平向高压电平的搬移，又用于当芯片地与高压接反时保护电路，避免芯片损伤；输出保护模块用于保护输出电路，输出高压差分信号HV_OUTP/HV_OUTN。本发明具有结构简单、功耗低、面积小、可防止电源、地接反损伤芯片的优点，可用于模拟集成电路。
-
公开(公告)号：CN111596236A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010527313.8
申请日：2020-06-11
申请人： 赛卓电子科技(上海)有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有灵敏度校正和偏移校正功能的磁场传感器，包括：模拟信号通路模块、校正模块、温度检测模块、EEPROM存储模块以及分段处理器模块，以数字形式存储在磁场传感器中的增益校正系数和偏移校正系数，可用于生成模拟控制信号，以控制磁场传感器的模拟信号通路的灵敏度和偏移。本发明以数字形式存储在磁场传感器中的增益校正系数和偏移校正系数，可用于生成模拟控制信号，以控制磁场传感器的模拟信号通路的灵敏度和偏移。本发明既具有模拟通路的快速响应时间，又保证了室温下灵敏度和静态输出电压的精度，可在生产和使用过程中改变温度补偿特性，同时还可以补偿由机械应力和器件老化造成的灵敏度漂移和静态输出电压漂移。
-
公开(公告)号：CN111599807A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010440928.7
申请日：2020-05-22
申请人： 赛卓电子科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种标准MOS工艺下提升差分输入对管性能的方法，本方法实现了在不增大版图面积的前提下，尽可能减少MOS管漏极的寄生电容，将MOS管的栅分解成阵列结构，栅极使用圆形画法，将漏极包围，并压缩漏极到工艺允许最小尺寸，此时栅极外侧为源极，输入对管的源极正好可以共享连接。通过缩小周长，避免拐角，提高单位面积MOS管效率，降低差分输入对管的寄生电容，从而提高工作频率，并提升匹配性能，减少差分输入对管的失调电压。
-
公开(公告)号：CN111351976A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010365714.8
申请日：2020-04-30
申请人： 赛卓电子科技(上海)有限公司
摘要： 本发明提供了一种开环电流传感器，包括：印刷电路板模块、传感电路模块以及绝缘封装模块；所述印刷电路板模块包括：励磁导线、置物空间；所述传感电路模块放置于置物空间内部；所述印刷电路板模块还包括：信号接口；所述传感电路模块至少包括：磁场感应元件；所述印刷电路板模块、传感电路模块采用绝缘封装模块相连接；所述绝缘封装模块将传感电路模块包裹在置物空间内。本发明中，励磁导线绘制在印刷电路板上，可承载的电流能力超过100安培，大大提高了电流检测范围，也不会引起过热而造成对传感电路模块的不利影响。
-
公开(公告)号：CN111525533B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010440957.3
申请日：2020-05-22
申请人： 赛卓电子科技(上海)有限公司
IPC分类号： H02H9/04
摘要： 本发明公开了一种具有过冲及下冲电压保护及ESD保护功能的驱动器电路，包括芯片的电源、地和驱动输出管脚，第一PMOS管和第一NMOS管的栅驱动输入，输出驱动和ESD保护，第一PMOS管和第一NMOS管的栅驱动输入用于控制输出驱动中的第一PMOS管和第一NMOS管的工作状态，输出驱动用于检测过冲电压或者下冲电压，进而输出到ESD保护电路，再经由ESD保护电路卸放电流，从而达到过冲及下冲电压保护功能和ESD保护功能，减弱了过冲电压和下冲电压带来的影响。通过本驱动器电路，可以减弱过冲电压和下冲电压对器件的影响，同时具有ESD保护的作用，因此达到了保护电路器件的作用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
19 条记录 (耗时 0.046 秒)
