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公开(公告)号：CN102126755A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110114236.4
申请日：2011-05-05
Applicant: 贵州正业工程技术投资有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用高频等离子体法生产纳米三氧化二锑的方法和装置，将粒度不超过0.1mm的锑氧化物粉料由复式给料装置经气体雾化后投入立式反应炉内，使粉料在立式反应炉的6000～10000℃的等离子体弧区内气化，气态三氧化二锑在反应炉出口处用压缩空气急速冷却至120℃以下，收集，即得。本发明创新性的采用复式给料装置均匀给料并经气体雾化，保证粒度分布均匀，采用高频等离子体为热源，将锑氧化物粉末瞬间气化为蒸气并快速骤冷来生产纳米三氧化二锑，所得成品的纯度高，平均粒径为35～60nm、比表面积为43～65㎡/g，本发明具有工艺设备简单、易于操作、产品质量好的特点。
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公开(公告)号：CN102126746A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110114238.3
申请日：2011-05-05
Applicant: 贵州正业工程技术投资有限公司
Abstract: 本发明公开了一种以高频等离子体为热源制备纳米二氧化锡的方法及装置，将粒度不超过0.1mm的金属锡或二氧化锡粉料由圆盘给料机经气体雾化后投入立式反应炉内，使粉料在6000～10000℃的高温等离子体弧区内气化，气态二氧化锡在反应炉出口处用压缩空气急速冷却至120℃以下，收集，即得。本发明创新性的采用圆盘给料机均匀给料并经气体雾化，保证粒度分布均匀，采用高频等离子体为热源，将金属锡或二氧化锡瞬间气化为蒸气并快速骤冷来生产纳米二氧化锡，所得成品的纯度高，纳米二氧化锡的平均粒径为50～80nm、比表面积为50～100㎡/g、不易团聚，本发明方法具有设备简单、易于操作、生产成本低、所得产品质量好等特点。
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公开(公告)号：CN102126754A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110114239.8
申请日：2011-05-05
Applicant: 贵州正业工程技术投资有限公司
Abstract: 本发明公开了一种以高频等离子体为热源制备纳米三氧化二铋的方法及装置，将粒度不超过0.1mm的金属铋或三氧化二铋粉料由复式给料装置经气体雾化后投入立式反应炉内，使粉料在6000～10000℃的高温等离子体弧区内气化，气态三氧化二铋在反应炉出口处用压缩空气急速冷却至120℃以下，收集，即得。本发明创新性的采用复式给料装置均匀给料，保证粒度分布均匀，采用高频等离子体为热源，将铋氧化物瞬间物理气化为蒸气并快速骤冷来生产纳米三氧化二铋，所得成品的纯度高，平均粒径为20～60nm、比表面积为48～75㎡/g、不易团聚，可以连续生产。
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