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公开(公告)号：CN102126711B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201010572177.0
申请日：2010-12-03
申请人： 贵州威顿晶磷电子材料有限公司
IPC分类号： C01B25/10
摘要： 本发明公开了一种纯度为99.99999％三氯氧磷的生产方法，包括以下步骤：在99.5％工业级三氯氧磷与收集的一次蒸馏产生的100℃以前的和107℃以后的重组分中，加入其质量1～4％的复合络合剂A，控制温度范围为20～50℃，充分搅拌，反应40-60分钟，然后蒸馏取100～107℃馏分得到一次蒸馏品；将收集的二次蒸馏产生的100℃以前的低沸物和107℃以后的重组分各5.5-11份、与一次蒸馏品78-89份加入搪瓷反应釜中，加入三氯氧磷质量1～5％的复合络合剂B，控制温度范围为25～50℃，充分搅拌，反应40-100分钟，然后经沉积分层，取上层清液过滤，滤液进行蒸馏，取100～107℃馏分得二次蒸馏品；将二次蒸馏品进行精馏，得到99.99999％的电子级三氯氧磷。本发明工艺简单、产品回收率高、生产工艺环保、产品纯度高。
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公开(公告)号：CN101979310B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010550797.4
申请日：2010-11-19
申请人： 贵州威顿晶磷电子材料有限公司
IPC分类号： C01B25/12
摘要： 本发明公开了一种99.9999％五氧化二磷的生产方法，包括以下步骤：将纯度为99.9999％的高纯黄磷2000～5000克，按流速约300～350克/小时的速度进入燃烧塔内的托盘式燃磷区；通入压力为0.2～0.5kgf/cm2的金属杂质含量不大于50ppb的空气或氧气，其有效氧的过量系数摩尔比为1.8～2.6，氧气流量控制范围为8～12升/分钟，空气气流量控制范围为45～65升/分钟；经过6～15小时的反应燃烧，用洁净的复合袋在塔底出料口收集五氧化二磷产品。本发明生产的产品单项金属杂质含量最高不超过100ppb，常见20项金属杂质总量不超过0.5ppm，能达到半导体分离器件和集成电路掺杂的要求。
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公开(公告)号：CN101979310A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN201010550797.4
申请日：2010-11-19
申请人： 贵州威顿晶磷电子材料有限公司
IPC分类号： C01B25/12
摘要： 本发明公开了一种99.9999％五氧化二磷的生产方法，包括以下步骤：将纯度为99.9999％的高纯黄磷2000～5000克，按流速约300～350克/小时的速度进入燃烧塔内的托盘式燃磷区；通入压力为0.2～0.5kgf/cm2的金属杂质含量不大于50ppb的空气或氧气，其有效氧的过量系数摩尔比为1.8～2.6，氧气流量控制范围为8～12升/分钟，空气气流量控制范围为45～65升/分钟；经过6～15小时的反应燃烧，用洁净的复合袋在塔底出料口收集五氧化二磷产品。本发明生产的产品单项金属杂质含量最高不超过100ppb，常见20项金属杂质总量不超过0.5ppm，能达到半导体分离器件和集成电路掺杂的要求。
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公开(公告)号：CN102126711A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010572177.0
申请日：2010-12-03
申请人： 贵州威顿晶磷电子材料有限公司
IPC分类号： C01B25/10
摘要： 本发明公开了一种纯度为99.99999％三氯氧磷的生产方法，包括以下步骤：在99.5％工业级三氯氧磷与收集的一次蒸馏产生的100℃以前的和107℃以后的重组分中，加入其质量1～4％的复合络合剂A，控制温度范围为20～50℃，充分搅拌，反应40-60分钟，然后蒸馏取100～107℃馏分得到一次蒸馏品；将收集的二次蒸馏产生的100℃以前的低沸物和107℃以后的重组分各5.5-11份、与一次蒸馏品78-89份加入搪瓷反应釜中，加入三氯氧磷质量1～5％的复合络合剂B，控制温度范围为25～50℃，充分搅拌，反应40-100分钟，然后经沉积分层，取上层清液过滤，滤液进行蒸馏，取100～107℃馏分得二次蒸馏品；将二次蒸馏品进行精馏，得到99.99999％的电子级三氯氧磷。本发明工艺简单、产品回收率高、生产工艺环保、产品纯度高。
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