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公开(公告)号：CN106904959B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710239613.4
申请日：2017-04-13
Applicant: 贵州大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638 , H01C7/112
Abstract: 本发明公开了一种Y3+、Ga3+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷及其制备方法，包括有基料和掺杂料，所述基料按重量份计包括有ZnO：87‑95份、Bi2O3：2.0‑4.0份、MnO2：0.4‑0.7份、Sb2O3：1.5‑3.5份、Co2O3：0.5‑1.5份、Cr2O3：0.2‑1.0份、籽晶掺杂料：1‑5份；所述籽晶掺杂料为ZnO、Ga2O3和Y2O3，其质量分数比为ZnO：Ga2O3：Y2O3＝90‑95：0.1‑5：0.1‑5。本发明Y3+、Ga3+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷具有既能降低ZnO晶粒电阻率，又能控制ZnO晶格畸变的特点，最终达到ZnO压敏电阻残压低、老化寿命长、脉冲电流耐受强的特点。
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公开(公告)号：CN104876642B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510235971.9
申请日：2015-05-11
Applicant: 贵州大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明公开了一种提高压电陶瓷性能的表面处理方法，包括如下步骤：①提供一种压电陶瓷体；②分别配制Ca(OH)2溶液，硼酸和磷酸二氢钙的混合溶液，备用；③将压电陶瓷体浸泡于Ca(OH)2溶液中，得A品；④取出A品，加热烘干，得B品；⑤将B品浸泡于硼酸和磷酸二氢钙的混合溶液中，得C品；⑥取出C品，先烘干，再进行热处理，在压电陶瓷表面生成硼磷酸钙玻璃薄膜，得成品。本发明由于采用了上述技术方案，提高了压电陶瓷表面的耐盐雾腐蚀、耐高低温和耐潮性能，显著延长了压电陶瓷的老化寿命。
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公开(公告)号：CN115020050A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210642413.4
申请日：2022-06-08
Applicant: 贵州大学
IPC: H01C7/112 , H01C17/30 , C04B35/622 , C04B35/453 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种Zn7Sb2O12预合成制备ZnO压敏电阻的方法，先将原料中的全部Sb2O3和部分ZnO按摩尔比0.8：7‑1.2：7混合均匀，然后在980‑1060℃预烧形成Zn7Sb2O12尖晶石相，再将Zn7Sb2O12尖晶石相与剩余的ZnO和其他原料成分混合作为原料进行ZnO压敏电阻的制备。本发明在不改变ZnO压敏电阻原本配方和不引入有害杂质的基础上，能够降低烧结温度，保证压敏电阻的电学性能，并且具有工艺简单和成本低廉的特点，适宜工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN106892657B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710239611.5
申请日：2017-04-13
Applicant: 贵州大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638 , H01C7/12
Abstract: 本发明公开了一种In3+、Sn4+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷及其制备方法，包括有基料和掺杂料，所述基料按重量份计包括有ZnO：87‑95份、Bi2O3：2.0‑4.0份、MnO2：0.4‑0.7份、Sb2O3：1.5‑3.5份、Co2O3：0.5‑1.5份、Cr2O3：0.2‑1.0份、籽晶掺杂料：1‑5份；所述籽晶掺杂料为ZnO、SnO2和In2O3，其质量分数比为ZnO：SnO2：In2O3＝90‑95：0.1‑5：0.1‑5。本发明In3+、Sn4+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷具有既能降低ZnO晶粒电阻率，又能控制ZnO晶格畸变的特点，最终达到ZnO压敏电阻残压低、老化寿命长、脉冲电流耐受强的特点。
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公开(公告)号：CN104876643B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510235974.2
申请日：2015-05-11
Applicant: 贵州大学
IPC: C04B41/85
Abstract: 本发明公开了一种提高PTC陶瓷性能的表面处理方法，包括如下步骤：①提供一种PTC陶瓷体；②分别配制Ca(OH)2溶液，硼酸和磷酸二氢钙的混合溶液，备用；③将PTC陶瓷体浸泡于Ca(OH)2溶液中，得A品；④取出A品，加热烘干，得B品；⑤将B品浸泡于硼酸和磷酸二氢钙的混合溶液中，得C品；⑥取出C品，先烘干，再进行热处理，在PTC陶瓷表面生成硼磷酸钙玻璃薄膜，得成品。本发明由于采用了上述技术方案，增强了PTC陶瓷的过载能力和耐温度循环性能，并且由于玻璃薄膜的存在，同时也显著提高了PTC陶瓷的耐潮能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104909827A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510235961.5
申请日：2015-05-11
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种提高NTC陶瓷性能的表面处理方法，包括如下步骤：①提供一种NTC陶瓷体；②分别配制Ca(OH)2溶液，硼酸和磷酸二氢钙的混合溶液，备用；③将NTC陶瓷体浸泡于Ca(OH)2溶液中，得A品；④取出A品，加热烘干，得B品；⑤将B品浸泡于硼酸和磷酸二氢钙的混合溶液中，得C品；⑥取出C品，先烘干，再进行热处理，在NTC陶瓷表面生成硼磷酸钙玻璃薄膜，得成品。本发明由于采用了上述技术方案，增强了NTC陶瓷的耐温度循环性能和耐焊接性能，并且由于玻璃薄膜的存在，也显著提高了NTC陶瓷的耐潮能力。
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公开(公告)号：CN110881294A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910816575.3
申请日：2019-08-30
Applicant: 贵州大学
IPC: A01C21/00
Abstract: 本发明公开了一种白术施肥配方及其施肥方法，配方包括以下成分及其施入量：蚯蚓代谢有机肥380-420kg/667m2和EM原种1900-2100ml/667m2；施肥方法为：施肥配方采用底肥一次性施入，有机肥均匀撒施，EM原种以浸种方式施入。本发明中施用菌肥和蚯蚓代谢有机肥，明显改善白术生长及生理状况，蚯蚓代谢有机肥中富含氮、磷、钾，而EM原种中的有益菌能促进其中的难溶养分转化成速效养分，使白术植株能更好的吸收其中的养分，说明两者具有协同作用，可促进白术生长，增强其抗氧化能力。
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公开(公告)号：CN109020560A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811177241.8
申请日：2018-10-10
Applicant: 贵州大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/622 , C04B35/62605 , C04B35/62655
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷氧化物复合粉体的水热处理方法，包括如下步骤：1)按陶瓷所需的配比称量氧化物原料；2)将氧化物原料装入球磨罐，加入去离子水或酒精后充分混合球磨，将球磨后得到的浆料放置在干燥箱中烘干，得氧化物复合粉体；3)将氧化物复合粉体加入反应釜中，加入一定量的去离子水，再加入氨水、柠檬酸或草酸中的一种或任意几种的组合物，密闭反应釜，然后加热进行水热处理，水热处理后的粉末在干燥箱中烘干即可。本发明具有材料用量少，成本低，污染小，工艺更加简单，工艺稳定性好的特点。
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公开(公告)号：CN106946560A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710239612.X
申请日：2017-04-13
Applicant: 贵州大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/62605 , C04B35/62615 , C04B2235/3225 , C04B2235/3241 , C04B2235/3267 , C04B2235/3275 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/443 , C04B2235/96
Abstract: 本发明公开了一种Y3+、Sn4+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷及其制备方法，包括有基料和掺杂料，所述基料按重量份计包括有ZnO：87‑95份、Bi2O3：2.0‑4.0份、MnO2：0.4‑0.7份、Sb2O3：1.5‑3.5份、Co2O3：0.5‑1.5份、Cr2O3：0.2‑1.0份、籽晶掺杂料：1‑5份；所述籽晶掺杂料为ZnO、SnO2和Y2O3，其质量分数比为ZnO：SnO2：Y2O3＝90‑95：0.1‑5：0.1‑5。本发明Y3+、Sn4+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷具有既能降低ZnO晶粒电阻率，又能控制ZnO晶格畸变的特点，最终达到ZnO压敏电阻残压低、老化寿命长、脉冲电流耐受强的特点。
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公开(公告)号：CN106892657A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710239611.5
申请日：2017-04-13
Applicant: 贵州大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638 , H01C7/12
Abstract: 本发明公开了一种In3+、Sn4+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷及其制备方法，包括有基料和掺杂料，所述基料按重量份计包括有ZnO：87‑95份、Bi2O3：2.0‑4.0份、MnO2：0.4‑0.7份、Sb2O3：1.5‑3.5份、Co2O3：0.5‑1.5份、Cr2O3：0.2‑1.0份、籽晶掺杂料：1‑5份；所述籽晶掺杂料为ZnO、SnO2和In2O3，其质量分数比为ZnO：SnO2：In2O3＝90‑95：0.1‑5：0.1‑5。本发明In3+、Sn4+复合施主掺杂制备的ZnO压敏陶瓷具有既能降低ZnO晶粒电阻率，又能控制ZnO晶格畸变的特点，最终达到ZnO压敏电阻残压低、老化寿命长、脉冲电流耐受强的特点。
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