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公开(公告)号：CN101667575B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200910308121.1
申请日：2009-10-09
Applicant: 贵州大学
Inventor： 刘桥
Abstract: 本发明公开了一种多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管，其特征在于：在P+型半导体衬底(1)上外延N型半导体区域(2)和P+型半导体区域(3)，P+型半导体区域(3)将N型半导体区域(2)分为2个PN结隔离区，隔离区上栅扩散有第一P+半导体区域(4-1)、第二P+半导体区域(4-2)，以及第一N+半导体区域(5-1)、第二N+半导体区域(5-2)、第三N+半导体区域(5-3)；构成多沟道N-JFET和PNP晶体管复合结构。本发明将电源正极接到器件正极，电源负极接到器件负极(也可以通过负载接到负极)，可以在一个基本回路中实现的恒电流特性。恒电流值的大小可以通过N-JFET的沟道数量或PNP的电流增益的设计实现，该结构可达到20mA～100mA系列的输出恒定电流。
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公开(公告)号：CN101000931B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200710200057.6
申请日：2007-01-15
Applicant: 贵州大学
Inventor： 刘桥
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种P沟道大功率半导体恒电流二极管及其制作方法，利用结型场效应管JFET作为小电流恒流源，向担任电流扩展的双极型晶体管提供恒定基极电流，经过双极型晶体管成比例(线性)放大(扩展)成为大恒定电流。本发明的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，不是集成电路和电子模块(组件)的技术。本发明具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能，而且结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点，表现于现有二极管的一些技术特征，也可以作为恒电流电源直接驱动负载。
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公开(公告)号：CN101005100A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200710200056.1
申请日：2007-01-15
Applicant: 贵州大学
Inventor： 刘桥
IPC: H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种N沟道大功率半导体恒电流二极管及其制作方法，利用结型场效应管JFET作为小电流恒流源，向担任电流扩展的双极型晶体管提供恒定基极电流，经过双极型晶体管成比例(线性)放大(扩展)成为大恒定电流。本发明的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，不是集成电路和电子模块(组件)的技术。本发明具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能，而且结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点，表现于现有二极管的一些技术特征，也可以作为恒电流电源直接驱动负载。
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公开(公告)号：CN101860342A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010159715.3
申请日：2010-04-29
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种汇流条兼作反射栅型IDT结构的SAW器件，它包括声表面波滤波器和声表面波谐振器，声表面波滤波器和声表面波谐振器包含有封装壳体及放置于封装壳体内的声表面波滤波器和声表面波谐振器的管芯，两管芯在封装壳体内用导线进行电连接；所述的管芯包括刻蚀在压电单晶或压电薄膜表面的汇流条兼作反射栅的输入叉指换能器和汇流条兼作反射栅的输出叉指换能器。汇流条兼作反射栅采用三角形、圆形或者椭圆形结构。采用本发明的IDT结构设计的声表面波滤波器、谐振器，在管芯面积，叉指条数，耦合孔径相同的条件下，旁瓣抑制提高了9dB以上，插入损耗降低了12dB以上。
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公开(公告)号：CN100428101C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610051173.1
申请日：2006-08-07
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种采用电路结构进行热疏导的散热方法，它在主功率输出电路中连接热检测电路或过流检测电路，并采用与主功率输出电路结构相同的电路作为冗余备用电路，通过热检测电路或过流检测电路检测主功率输出电路的发热或过流信号，并在主功率输出电路超过额定功率导致发热或过流时由开关电路启动冗余备用电路工作，利用冗余备用电路分流主功率输出电路的部分功率，减小主功率输出电路的电流，降低主功率输出电路的温度，对主功率输出电路进行热疏导；本发明具有散热速度快且散热可靠，安装的散热器体积小、安装使用方便，系统在不间断的大功率工作状态下能可靠工作等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101667575A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910308121.1
申请日：2009-10-09
Applicant: 贵州大学
Inventor： 刘桥
Abstract: 本发明公开了一种多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管，其特征在于：在P+型半导体衬底(1)上外延N型半导体区域(2)和P+型半导体区域(3)，P+型半导体区域(3)将N型半导体区域(2)分为2个PN结隔离区，隔离区上栅扩散有第一P+半导体区域(41)、第二P+半导体区域(4-2)，以及第一N+半导体区域(5-1)、第二N+半导体区域(5-2)、第三N+半导体区域(5-3)；构成多沟道N-JFET和PNP晶体管复合结构。本发明将电源正极接到器件正极，电源负极接到器件负极(也可以通过负载接到负极)，可以在一个基本回路中实现的恒电流特性。恒电流值的大小可以通过N-JFET的沟道数量或PNP的电流增益的设计实现，该结构可达到20mA～100mA系列的输出恒定电流。
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公开(公告)号：CN1904787A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610051173.1
申请日：2006-08-07
Abstract: 本发明公开了一种采用电路结构进行热疏导的散热方法，它在主功率输出电路中连接热检测电路或过流检测电路，并采用与主功率输出电路结构相同的电路作为冗余备用电路，通过热检测电路或过流检测电路检测主功率输出电路的发热或过流信号，并在主功率输出电路超过额定功率导致发热或过流时由开关电路启动冗余备用电路工作，利用冗余备用电路分流主功率输出电路的部分功率，减小主功率输出电路的电流，降低主功率输出电路的温度，对主功率输出电路进行热疏导；本发明具有散热速度快且散热可靠，安装的散热器体积小、安装使用方便，系统在不间断的大功率工作状态下能可靠工作等特点。
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公开(公告)号：CN101860342B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201010159715.3
申请日：2010-04-29
Applicant: 贵州大学
Abstract: 本发明公开了一种汇流条兼作反射栅型IDT结构的SAW器件，它包括声表面波滤波器和声表面波谐振器，声表面波滤波器和声表面波谐振器包含有封装壳体及放置于封装壳体内的声表面波滤波器和声表面波谐振器的管芯，两管芯在封装壳体内用导线进行电连接；所述的管芯包括刻蚀在压电单晶或压电薄膜表面的汇流条兼作反射栅的输入叉指换能器和汇流条兼作反射栅的输出叉指换能器。汇流条兼作反射栅采用三角形、圆形或者椭圆形结构。采用本发明的IDT结构设计的声表面波滤波器、谐振器，在管芯面积，叉指条数，耦合孔径相同的条件下，旁瓣抑制提高了9dB以上，插入损耗降低了12dB以上。
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公开(公告)号：CN101000931A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710200057.6
申请日：2007-01-15
Applicant: 贵州大学
Inventor： 刘桥
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种P沟道大功率半导体恒电流二极管及其制作方法，利用结型场效应管JFET作为小电流恒流源，向担任电流扩展的双极型晶体管提供恒定基极电流，经过双极型晶体管成比例(线性)放大(扩展)成为大恒定电流。本发明的特点是通过半导体器件结构的物理过程实现恒流特性，不是集成电路和电子模块(组件)的技术。本发明具有利用半导体物理特性、实现恒流电路的功能，而且结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点，表现于现有二极管的一些技术特征，也可以作为恒电流电源直接驱动负载。
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公开(公告)号：CN201004193Y
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200720200034.0
申请日：2007-01-25
Applicant: 贵州大学
Inventor： 刘桥
IPC: G05F3/00
Abstract: 本实用新型公开了一种P沟道大功率恒电流二端模块，它包括NPN三极管(1)的集电极和发射极，其特征在于：NPN三极管(1)的集电极连接P沟道场效应管(2)的漏极和栅极，NPN三极管(1)的基极连接P沟道场效应管(2)的源极。本实用新型利用P沟道场效应管作为小电流恒流源，经过NPN三极管(双极型晶体管)成比例放大成为大恒定电流。同现有的集成电路和电子模块(组件)技术相比，本实用新型具有结构简单，采用电流扩展方法可以直接恒流驱动负载的优点，可以作为现有二极管来使用，也可以作为恒电流电源直接驱动负载。
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