公开(公告)号：CN104638048B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201310654869.3

申请日：2013-12-06

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 陈玉鸿 ,  刘俊岑 ,  刘永宗 ,  林宸澄

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0376

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明公开了一种异质结太阳能电池，包含具有受光面的p型结晶硅基板、形成在该p型结晶硅基板的受光面上的第一i型非晶硅薄膜层、形成在该第一i型非晶硅薄膜层上的n型非晶氧化层、以及形成于该n型非晶氧化层上的第一透明导电层。再者，本发明的异质结太阳能电池可选择性地不形成第一i型非晶硅薄膜层，而直接形成n型非晶氧化层，且所形成的n型非晶氧化层也可为依序形成的n‑以及n+非晶氧化层。

公开(公告)号：CN107994083B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201611021064.5

申请日：2016-11-14

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林昭正 ,  彭健凯 ,  林宸澄 ,  杜政勋 ,  黄崇杰 ,  叶峻铭

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/048

Abstract: 一种太阳能电池，其包括硅基板、射极、第一电极、掺杂区、钝化层、经掺杂的多晶硅层、半导体层以及第二电极。硅基板具有彼此相对的第一表面与第二表面。射极配置于第一表面上。第一电极配置于射极上。掺杂区配置于第二表面中。钝化层配置于第二表面上。经掺杂的多晶硅层配置于钝化层上，其中经掺杂的多晶硅层与钝化层中具有孔洞，且孔洞暴露出部分第二表面。半导体层配置于经掺杂的多晶硅层上以及孔洞中，其中半导体层的能隙大于硅基板的能隙。第二电极配置于半导体层上。

公开(公告)号：CN106057916B

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610659357.X

申请日：2013-12-06

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 陈玉鸿 ,  刘俊岑 ,  刘永宗 ,  林宸澄

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明公开了一种异质结太阳能电池，包含：p型微晶硅层，具有受光面及相对于该受光面的背光面；第一纳米银线层，形成在该p型微晶硅层的受光面上；第一n型非晶氧化层，形成在该纳米银线层上；i型微晶硅薄膜层，形成在该p型微晶硅层的背光面上；第二n型非晶氧化层，形成在该i型微晶硅薄膜层上；以及第二纳米银线层，形成在该第二n型非晶氧化层上。由于第一、第二n型非晶氧化层及第一、第二纳米银线层的透光度、导电度及反射率较现有技术为佳，从而可使得本发明在光电转换与单位成本得到非常大的竞争优势。

公开(公告)号：CN104638048A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310654869.3

申请日：2013-12-06

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 陈玉鸿 ,  刘俊岑 ,  刘永宗 ,  林宸澄

IPC: H01L31/077 ,  H01L31/0376

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明公开了一种异质结太阳能电池，包含具有受光面的p型结晶硅基板、形成在该p型结晶硅基板的受光面上的第一i型非晶硅薄膜层、形成在该第一i型非晶硅薄膜层上的n型非晶氧化层、以及形成于该n型非晶氧化层上的第一透明导电层。再者，本发明的异质结太阳能电池可选择性地不形成第一i型非晶硅薄膜层，而直接形成n型非晶氧化层，且所形成的n型非晶氧化层也可为依序形成的n-以及n+非晶氧化层。

公开(公告)号：CN107994083A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201611021064.5

申请日：2016-11-14

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 林昭正 ,  彭健凯 ,  林宸澄 ,  杜政勋 ,  黄崇杰 ,  叶峻铭

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/048

Abstract: 一种太阳能电池，其包括硅基板、射极、第一电极、掺杂区、钝化层、经掺杂的多晶硅层、半导体层以及第二电极。硅基板具有彼此相对的第一表面与第二表面。射极配置于第一表面上。第一电极配置于射极上。掺杂区配置于第二表面中。钝化层配置于第二表面上。经掺杂的多晶硅层配置于钝化层上，其中经掺杂的多晶硅层与钝化层中具有孔洞，且孔洞暴露出部分第二表面。半导体层配置于经掺杂的多晶硅层上以及孔洞中，其中半导体层的能隙大于硅基板的能隙。第二电极配置于半导体层上。

公开(公告)号：CN106057916A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610659357.X

申请日：2013-12-06

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 陈玉鸿 ,  刘俊岑 ,  刘永宗 ,  林宸澄

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明公开了一种异质结太阳能电池，包含：p型微结晶硅层，具有受光面及相对于该受光面的背光面；第一纳米银线层，形成在该p型微晶硅层的受光面上；第一n型非晶氧化层，形成在该纳米银线层上；i型微晶硅薄膜层，形成在该p型微结晶硅层的背光面上；第二n型非晶氧化层，形成在该i型微晶硅薄膜层上；以及第二纳米银线层，形成在该第二n型非晶氧化层上。由于第一、第二n型非晶氧化层及第一、第二纳米银线层的透光度、导电度及反射率较现有技术为佳，从而可使得本发明在光电转换与单位成本得到非常大的竞争优势。