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公开(公告)号：CN107026236B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201710163841.8
申请日：2017-02-03
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Abstract: 本发明涉及制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管。更具体而言，本发明涉及一种制备垂直有机场效应晶体管的方法，其中具有层配置的垂直有机场效应晶体管被制备在衬底上，所述层配置包含晶体管电极、电绝缘层(25；34)和有机半导体层(28)，晶体管电极也就是第一电极(23；24)、第二电极(23；24)和第三电极(32)。另外，本发明还提供了一种垂直有机场效应晶体管，其包含衬底(21)上的具有晶体管电极的层配置。
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公开(公告)号：CN106463621A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580023349.X
申请日：2015-03-27
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 汉斯·克勒曼 , 扬·布洛赫维茨-尼莫特 , 格雷戈尔·施瓦茨
Abstract: 本发明涉及一种制造有机晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在基底(1)上提供第一电极(2)，产生至少部分分配给所述基底(1)和/或至少部分分配给所述第一电极(2)的源极-漏极绝缘体(3)，产生分配给所述源极-漏极绝缘体二电极(4)和所述源极-漏极绝缘体(3)上沉积有机半导体层(5)，产生分配给所述有机半导体层(5)的栅极绝缘体(6)，以及提供分配给所述栅极绝缘体(6)的栅极(7)。此外，本发明涉及一种有机晶体管。(3)的第二电极(4)，在所述第一电极(2)、所述第
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公开(公告)号：CN106463621B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201580023349.X
申请日：2015-03-27
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
Inventor： 汉斯·克勒曼 , 扬·布洛赫维茨-尼莫特 , 格雷戈尔·施瓦茨
Abstract: 本发明涉及一种制造有机晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在基底(1)上提供第一电极(2)，产生至少部分分配给所述基底(1)和/或至少部分分配给所述第一电极(2)的源极‑漏极绝缘体(3)，产生分配给所述源极‑漏极绝缘体(3)的第二电极(4)，在所述第一电极(2)、所述第二电极(4)和所述源极‑漏极绝缘体(3)上沉积有机半导体层(5)，产生分配给所述有机半导体层(5)的栅极绝缘体(6)，以及提供分配给所述栅极绝缘体(6)的栅极(7)。此外，本发明涉及一种有机晶体管。
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公开(公告)号：CN107026236A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710163841.8
申请日：2017-02-03
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
CPC classification number: H01L51/057 , H01L51/0004 , H01L51/0016 , H01L51/0017 , H01L51/105 , H01L51/0023
Abstract: 本发明涉及制备垂直有机场效应晶体管的方法及垂直有机场效应晶体管。更具体而言，本发明涉及一种制备垂直有机场效应晶体管的方法，其中具有层配置的垂直有机场效应晶体管被制备在衬底上，所述层配置包含晶体管电极、电绝缘层(25；34)和有机半导体层(28)，晶体管电极也就是第一电极(23；24)、第二电极(23；24)和第三电极(32)。另外，本发明还提供了一种垂直有机场效应晶体管，其包含衬底(21)上的具有晶体管电极的层配置。
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公开(公告)号：CN111196802A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911117538.X
申请日：2019-11-15
Applicant: 诺瓦尔德股份有限公司
IPC: C07D401/10 , C07D401/14 , C07D221/18 , C07D401/04 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明涉及化合物、包含所述化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示设备和照明设备。具体地，本发明涉及一种式(I)的化合物本发明还涉及包含所述化合物的有机电子器件和包含所述有机电子器件的显示设备或照明设备。
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