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公开(公告)号：CN105177499B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510264931.7
申请日：2015-05-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法。把清洗后的衬底放在热蒸发仪真空室的样品架上(Emitech,K950X)。把合适尺寸的前驱体，0.1‑0.3 g，放在 W篮里关闭该室。在室温下，把该室抽成1.0×10‑3‑1.0×10‑5 mbar的真空，通过调整穿过W篮的电流来控制蒸发速度。首先，电流从0 A缓慢增加到6‑10 A，然后等待直到 W篮变成红色。然后，电流进一步增至13‑20 A并保持 5‑10 s，最后，降低电流为 0 A 来完成整个蒸发过程。本发明采用单源热蒸发技术，避免了多元热蒸发技术里对每个蒸发源的复杂控制问题；采用富元素Cd的CdS QDS为前躯体，该制备方法为室温共沉淀法，易操作且产率很高。
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公开(公告)号：CN105177499A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510264931.7
申请日：2015-05-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开了一种量子点为前驱制备近化学计量CdS薄膜的热蒸发法。把清洗后的衬底放在热蒸发仪真空室的样品架上(Emitech,K950X)。把合适尺寸的前驱体，0.1-0.3g，放在W篮里关闭该室。在室温下，把该室抽成1.0×10-3-1.0×10-5mbar的真空，通过调整穿过W篮的电流来控制蒸发速度。首先，电流从0A缓慢增加到6-10A，然后等待直到W篮变成红色。然后，电流进一步增至13-20A并保持5-10s，最后，降低电流为0A来完成整个蒸发过程。本发明采用单源热蒸发技术，避免了多元热蒸发技术里对每个蒸发源的复杂控制问题；采用富元素Cd的CdS QDS为前躯体，该制备方法为室温共沉淀法，易操作且产率很高。
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公开(公告)号：CN104900945B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201510191474.3
申请日：2015-04-22
Applicant: 许昌学院
Abstract: 本发明公开在ITO衬底上无溶剂元素直接制备PbS薄膜的方法，应用硫粉的低温升华特性,在密闭的充满氮气的反应釜内，在溅射有单质铅膜的氧化铟锡导电玻璃(ITO)衬底上，在低温的条件下，元素直接反应，原位生长PbS薄膜，反应釜内充满氮气而不是任何的溶剂做反应介质。在ITO玻璃衬底上，溅射一层均匀致密的Pb膜并通过膜厚监控系统控制所溅射的Pb膜厚度。在150摄氏度左右的温度下，升华出来的硫和ITO玻璃衬底上的Pb膜发生元素直接反应并在衬底上原位生成PbS薄膜;为了防止S蒸汽遇到镀有Pb膜的ITO衬底再次冷凝成S膜而覆盖在Pb膜上阻隔后续的元素直接反应，我们将Pb膜朝下摆放并错开S源。该PbS薄膜具有独特的双层结构并紧密吸附在衬底上，是一种绿色环保制备技术。
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公开(公告)号：CN104900945A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510191474.3
申请日：2015-04-22
Applicant: 许昌学院
CPC classification number: H01M14/005 , C03C17/22
Abstract: 本发明公开在ITO衬底上无溶剂元素直接制备PbS薄膜的方法，应用硫粉的低温升华特性,在密闭的充满氮气的反应釜内，在溅射有单质铅膜的氧化铟锡导电玻璃(ITO)衬底上，在低温的条件下，元素直接反应，原位生长PbS薄膜，反应釜内充满氮气而不是任何的溶剂做反应介质。在ITO玻璃衬底上，溅射一层均匀致密的Pb膜并通过膜厚监控系统控制所溅射的Pb膜厚度。在150摄氏度左右的温度下，升华出来的硫和ITO玻璃衬底上的Pb膜发生元素直接反应并在衬底上原位生成PbS薄膜;为了防止S蒸汽遇到镀有Pb膜的ITO衬底再次冷凝成S膜而覆盖在Pb膜上阻隔后续的元素直接反应，我们将Pb膜朝下摆放并错开S源。该PbS薄膜具有独特的双层结构并紧密吸附在衬底上，是一种绿色环保制备技术。
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