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公开(公告)号：CN112487680B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202011364639.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于评价和调控离子阱非谐性势的方法，尤其涉及一种用于原子频标、量级计算的囚禁离子体系非谐性射频势的量化评估、调控方法，可面向各种应用场景。相比于已有方案，此评价方式对离子阱各阶势的系数权重没有预设条件，可适用于几乎所有基于交变电场的四极衍生离子阱(极杆形阱、刀片阱、芯片阱等各类异型离子阱结构)非谐性势的评估，失真度更低、普适性更强。
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公开(公告)号：CN110996424B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201911168457.2
申请日：2019-11-25
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于外场参数测控的无极谱灯性能优化装置及方法，特别涉及一种控制无极谱灯有效光相对光强和均匀度的方法，属于光谱灯技术领域，尤其涉及一种用于获得微波频标的光谱灯，通过对无极谱灯外场参数的测量及控制，维持合适的工作模式、增强有效光相对光强及其径向分布的均匀度、超精细光谱的对称度，从而改善谱灯抽运原子频标的频率稳定度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112491416B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011359930.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H03L7/26
Abstract: 本发明涉及一种用于离子微波频标的离子阱射频势实时监测反馈系统及方法，具体涉及一种实时监测反馈方法尤其涉及一种用于离子阱射频势的精密、实时、非破坏性监测反馈方法。本发明中离子阱射频势的实时非破坏性监测系统，相较于等效电容的方案，具有实时性的特点。相较于其他实时监测的方案，隔离级的设计增强了非破坏性；检测电路得到射频幅度信息，反馈至基于FPGA的射频生成系统，对射频幅度进行实时调整，大幅提升射频信号的幅度稳定性。
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公开(公告)号：CN117855024A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202311655599.8
申请日：2023-12-05
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种高光谱稳定性深紫外谱灯装置，该谱灯面向汞离子微波钟光抽运的应用需求，实现原子气室、射频激励设计及射频等离子体模式与参数调控。本发明深紫外谱灯装置包含三项技术创新：(1)原子气室设计方案；(2)射频激励方案；(3)射频等离子体模式与参数调控方案。采用本发明194.2nm光功率能够达到30uW，光功率稳定性优于1％/d，谱灯整体光功率优于10mW，能够满足汞离子微波钟光抽运需求。
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公开(公告)号：CN110996424A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911168457.2
申请日：2019-11-25
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于外场参数测控的无极谱灯性能优化装置及方法，特别涉及一种控制无极谱灯有效光相对光强和均匀度的方法，属于光谱灯技术领域，尤其涉及一种用于获得微波频标的光谱灯，通过对无极谱灯外场参数的测量及控制，维持合适的工作模式、增强有效光相对光强及其径向分布的均匀度、超精细光谱的对称度，从而改善谱灯抽运原子频标的频率稳定度。
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公开(公告)号：CN112491416A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011359930.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
IPC: H03L7/26
Abstract: 本发明涉及一种用于离子微波频标的离子阱射频势实时监测反馈系统及方法，具体涉及一种实时监测反馈方法尤其涉及一种用于离子阱射频势的精密、实时、非破坏性监测反馈方法。本发明中离子阱射频势的实时非破坏性监测系统，相较于等效电容的方案，具有实时性的特点。相较于其他实时监测的方案，隔离级的设计增强了非破坏性；检测电路得到射频幅度信息，反馈至基于FPGA的射频生成系统，对射频幅度进行实时调整，大幅提升射频信号的幅度稳定性。
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公开(公告)号：CN112487680A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011364639.X
申请日：2020-11-27
Applicant: 西安空间无线电技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于评价和调控离子阱非谐性势的方法，尤其涉及一种用于原子频标、量级计算的囚禁离子体系非谐性射频势的量化评估、调控方法，可面向各种应用场景。相比于已有方案，此评价方式对离子阱各阶势的系数权重没有预设条件，可适用于几乎所有基于交变电场的四极衍生离子阱(极杆形阱、刀片阱、芯片阱等各类异型离子阱结构)非谐性势的评估，失真度更低、普适性更强。
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