一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法

    公开(公告)号:CN113299838A

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN202110402386.9

    申请日:2021-04-14

    Abstract: 本发明为一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法,包括以下步骤:步骤S1:清洗掺氟氧化锡基体,掺氟氧化锡基体旋涂TiO2前驱体溶液,旋涂后烧结;步骤S2:S21:配置1,4‑二溴苯前驱体;S22:配置CH3NH3PbI3前驱体;S23:配置空穴传输层前驱体溶液;步骤S3:将步骤S22配置的CH3NH3PbI3前驱体溶液,经过滴加、旋涂和干燥三个步骤,制备得到CH3NH3PbI3薄膜;步骤S4:1,4‑二溴苯前驱体溶液旋涂到CH3NH3PbI3薄膜上,进行热处理;步骤S5:空穴传输层材料旋涂在钙钛矿薄膜表面,得到钙钛矿薄膜与空穴传输层的稳定界面。本发明的1,4‑二溴苯空穴传输材料能阻止前驱体溶液对钙钛矿薄膜的溶解,避免后期电池发电过程中钙钛矿薄膜与空穴传输层之间的相互渗透。

    一种太阳电池中TiO2电子传输层钝化方法

    公开(公告)号:CN113725370B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202110951538.0

    申请日:2021-08-19

    Abstract: 本发明公开了一种太阳电池中TiO2电子传输层钝化方法,属于太阳电池技术领域,解决了目前太阳电池中TiO2电子传输层表面的钝化层容易被快速腐蚀/溶解以及钝化效果差的问题。该太阳电池中TiO2电子传输层钝化方法包括:在恒定负压和温度不超过25℃环境中,通过一步溶液法在TiO2电子传输层的表面制备出PbX2薄膜,并利用完全覆盖TiO2电子传输层表面的PbX2薄膜组成钝化层,以对太阳电池中TiO2电子传输层进行钝化,其中,X=Cl、Br、I中的任意一种。本发明提供的太阳电池中TiO2电子传输层钝化方法,不仅能够对光生电子与I3‑离子逆向复合进行有效阻断,而且能够降低电解质溶液对钝化层的腐蚀/溶解速度,实现染料敏化太阳电池长期、高效运行。

    一种太阳电池中TiO2电子传输层钝化方法

    公开(公告)号:CN113725370A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202110951538.0

    申请日:2021-08-19

    Abstract: 本发明公开了一种太阳电池中TiO2电子传输层钝化方法,属于太阳电池技术领域,解决了目前太阳电池中TiO2电子传输层表面的钝化层容易被快速腐蚀/溶解以及钝化效果差的问题。该太阳电池中TiO2电子传输层钝化方法包括:在恒定负压和温度不超过25℃环境中,通过一步溶液法在TiO2电子传输层的表面制备出PbX2薄膜,并利用完全覆盖TiO2电子传输层表面的PbX2薄膜组成钝化层,以对太阳电池中TiO2电子传输层进行钝化,其中,X=Cl、Br、I中的任意一种。本发明提供的太阳电池中TiO2电子传输层钝化方法,不仅能够对光生电子与I3‑离子逆向复合进行有效阻断,而且能够降低电解质溶液对钝化层的腐蚀/溶解速度,实现染料敏化太阳电池长期、高效运行。

    一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法

    公开(公告)号:CN113299838B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202110402386.9

    申请日:2021-04-14

    Abstract: 本发明为一种稳定钙钛矿薄膜与空穴传输层界面的方法,包括以下步骤:步骤S1:清洗掺氟氧化锡基体,掺氟氧化锡基体旋涂TiO2前驱体溶液,旋涂后烧结;步骤S2:S21:配置1,4‑二溴苯前驱体;S22:配置CH3NH3PbI3前驱体;S23:配置空穴传输层前驱体溶液;步骤S3:将步骤S22配置的CH3NH3PbI3前驱体溶液,经过滴加、旋涂和干燥三个步骤,制备得到CH3NH3PbI3薄膜;步骤S4:1,4‑二溴苯前驱体溶液旋涂到CH3NH3PbI3薄膜上,进行热处理;步骤S5:空穴传输层材料旋涂在钙钛矿薄膜表面,得到钙钛矿薄膜与空穴传输层的稳定界面。本发明的1,4‑二溴苯空穴传输材料能阻止前驱体溶液对钙钛矿薄膜的溶解,避免后期电池发电过程中钙钛矿薄膜与空穴传输层之间的相互渗透。

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