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公开(公告)号：CN117393559A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311391369.5
申请日：2023-10-24
Applicant: 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC: H01L27/02 , H01L23/544 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种Trench VDMOS器件及其制备方法，Trench VDMOS器件中的元胞包括制作在同一衬底上的若干主体元胞、若干隔离元胞和若干采样元胞，其中：所述若干采样元胞成阵列方式设置，且所述若干采样元胞并联连接；所述若干隔离元胞围绕所述若干采样元胞的四周设置；所述若干主体元胞围绕所述若干采样元胞的四周设置，所述若干主体元胞并联连接；并且，所述采样元胞和所述主体元胞并联连接，所述主体元胞、所述采样元胞和所述隔离元胞的漏极相互连接在一起，所述主体元胞的源极相互连接在一起，所述采样元胞的源极相互连接在一起。本发明能够对流过器件的电流进行采样，从而实时监控整个主体器件的工作状态。
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