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公开(公告)号：CN117592282A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311587482.0
申请日：2023-11-27
申请人： 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F111/04
摘要： 本发明提出了一种基于多约束凸优化的阵列天线方向图优化方法，实现步骤为：进行全波仿真得到阵列天线的方向矢量；初始化目标方向和副瓣电平等参数；构建多约束凸优化问题并对其进行求解以获取激励向量；对波束宽度进行更新并重新求解凸优化问题；获取优化后的激励向量并计算阵列天线方向图。本发明通过多种约束构建阵列天线方向图的凸优化问题，避免了副瓣电平较低时阵列天线方向图的最大辐射方向偏离目标方向的缺陷；且通过对最大值或最小值的更新实现对波束宽度取值范围的更新，在初始化副瓣电平过低时，通过减小波束宽度，最终优化得到阵列天线所能实现的最低副瓣电平下的阵列天线方向图，避免了方向图的畸变，并提高了优化效率。
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公开(公告)号：CN108483391A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810325856.4
申请日：2018-04-12
申请人： 西安电子科技大学 , 陕西博纵电子科技有限公司
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种基于硅基透镜的钪掺杂AlN高频超声换能器的制备方法，该基于硅基透镜的钪掺杂AlN高频超声换能器的制备方法具体步骤如下：S1：硅基透镜的制作，S2：底部电极的制作，S3：顶部电极的制作，S4：顶部电极、底部电极与SMA接口连线。本发明中，透镜材料选用硅，相比于传统蓝宝石透镜使用的传统的研磨技术，硅基透镜可以使用非机械的刻蚀技术，对于高级换能器结构，使在硅基透镜上制作多层透镜成为可能，并且硅晶体比蓝宝石晶体成本更低。透镜制备过程使用了MEMS光刻和刻蚀技术，使制作的微小的声透镜具有高度球状和较小的表面粗糙成为可能，并且可以制作一批一致性良好的透镜。
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公开(公告)号：CN117521373A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311513722.2
申请日：2023-11-14
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F30/20 , G06F111/06 , G06F113/04 , G06F111/04
摘要： 本发明公开了一种基于凸优化的带罩阵列天线波束优化方法，主要解决现有技术只能对点源模型进行优化，求解效率较低，不能在考虑天线罩与阵列天线间相互耦合作用情况下，实现带罩相控阵的波束扫描的问题。其实现方案是：创建不带罩与带罩阵列天线模型；提取有源单元方向图得到不带罩阵列天线的方向矢量和带罩阵列天线的方向矢量；计算不带罩阵列天线的和波束方向图和差波束方向图，确定带罩阵列天线的优化参数；采用凸优化算法同时优化带罩阵列天线的和波束与差波束方向图，得到带罩阵列天线优化后的和波束与差波束方向图。本发明提高了优化效率，优化结果为全局最优解，实现了带罩阵列天线的和波束与差波束的同时扫描，可用于目标探测或定位识别。
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公开(公告)号：CN108580241A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810325844.1
申请日：2018-04-12
申请人： 西安电子科技大学 , 陕西博纵电子科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种超声换能器的声阻抗匹配层，包括依次布置的低密度声速层和高密度声速层，低密度声速层由材料A构成，高密度声速层由材料B构成，低密度声速层与聚焦透镜表面相连接，高密度声速层用于裸露于空气中或连接其他器件。本发明采用的材料为自然界可直接或间接获取的物质，通过物理淀积的方法可以精确控制厚度，克服传统工艺在厚度研磨上的瓶颈，以及在非平面层无法实施的弊端，获得了精确的声阻抗值的声阻抗匹配系统。本发明提出的提高声学透镜与介质间声波传输效率可行性方案工艺简洁，操作性强。
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