公开(公告)号：CN115621326A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211351987.2

申请日：2022-10-31

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 刘艳 ,  曾培林 ,  周久人 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H01L29/788 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种基于浮栅结构的均匀性铁电掺杂结构及其掺杂方法，掺杂结构包括自下至上依次设置的衬底、绝缘界面层、金属浮栅层、铁电层以及金属电极，所述金属电极连接正向或负向脉冲电压；其掺杂方法为：刻蚀金属电极和铁电层四周多余部分，在金属电极上施加脉冲电压以控制铁电层的极化方向，利用铁电层的极化电荷在金属浮栅层‑绝缘界面层‑衬底结构形成向下或向上方向的电场，从而在衬底中诱导出相应的电子或空穴，完成对衬底的n型和p型的均匀性掺杂；本发明通过在现有铁电掺杂技术上增加了浮栅和绝缘界面层，实现对半导体的均匀性掺杂以及减少界面缺陷，降低了器件的漏电流情况。

公开(公告)号：CN114429992A

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN202111574688.0

申请日：2021-12-21

Applicant: 西安电子科技大学杭州研究院

Inventor： 刘艳 ,  曾培林 ,  周久人 ,  韩根全 ,  郝跃

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于铁电掺杂的拱形不对称可重构场效应晶体管，主要解决现有技术栅控能力弱，器件性能差的问题，其包括：纳米线沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、控制栅极(4)、栅极隔离区(5)、编程栅极(6)、载流子控制层(7)和侧墙(8)，该源区和漏区分别位于圆柱状纳米线沟道的两端，载流子控制层和侧墙包裹在纳米线沟道的外侧，且侧墙位于载流子控制层的两端，厚度大于载流子控制层；该控制栅极、栅极隔离区和编程栅极从左到右分布在载流子控制层的外部，其中载流子控制层采用铁电材料，通过改变两个栅极的脉冲极性，使该层极化反转，实现不同类型的载流子掺杂。本发明增强了栅控能力，提高器件性能，可用于可编程逻辑阵列。