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公开(公告)号：CN115291660B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202210702113.0
申请日：2022-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种低压差线性稳压器过冲抑制电路及其驱动方法，涉及模拟集成电路技术领域，包括：过冲检测电容，与低压差线性稳压器的输出端电连接，用于检测低压差线性稳压器的输出端的过冲电压；过冲电压处理电路，与过冲检测电容电连接，用于将过冲电压转化成对应的使能信号；过冲反馈调节电路，与过冲处理电路电连接；过冲反馈调节电路包括第一信号端和输出端，过冲反馈调节电路的第一信号端与低压差线性稳压器的功率管的栅极电连接；过冲反馈调节电路响应所述使能信号，用于调节低压差线性稳压器的功率管的栅极电压，以及用于稳定过冲反馈调节电路的输出端的电压。本申请能够有效稳定低压差线性稳压器的输出端的输出电压。
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公开(公告)号：CN113938004A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111016637.6
申请日：2021-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明公开了一种新型倍压反转器，包括：振荡器模块，用于产生周期性方波信号；电荷泵模块，连接振荡器模块，用于产生时钟信号，并利用时钟信号对周期性方波信号进行处理，得到携带高压与负电压的方波信号；整幅模块，连接电荷泵模块，用于对携带高压与负电压的方波信号进行整幅，得到稳定的倍压反转输出信号。本发明提供的倍压反转器大大降低了系统功耗，简化了电路结构，减小了芯片面积，同时提升了转换效率。
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公开(公告)号：CN113760029A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111016641.2
申请日：2021-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种基于全MOS基准源的新型低压差线性稳压器，包括基准模块、放大模块、功率模块、保护模块、瞬态响应模块及反馈模块，其中，基准模块包括参考电压产生电路，参考电压产生电路包括N型耗尽管NDEP1、NDEP2，N型增强管N3，电阻R1、R2以及电容C1；NDEP1管的漏极接电源电压端VDD，其栅极与源极共同连接NDEP2管的漏极；NDEP2管的栅极与源极相连并共同连接N3管的栅极，且通过电阻R1连接N3管的漏极；N3管的源极与衬底均接地，N3管的漏极作为采样端VT连接保护模块；NDEP2管的栅极与源极的公共端还与电阻R2、电容C1串接，电容C1的另一端接地；电阻R2和电容C1的公共端作为参考电压端VREF连接放大模块。本发明提供的稳压器减小了芯片面积，提升了电路性能。
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公开(公告)号：CN113721695A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110961965.7
申请日：2021-08-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种双模式低压差线性稳压器及其电路和电子产品。双模式低压差线性稳压器包括：低压差线性稳压主模块、基准电压模块和基准调节模块；所述基准调节模块的输出端与所述低压差线性稳压主模块的第二输入端连接；所述基准电压模块，用于对电源电压进行处理，输出第一基准电压；所述基准调节模块，用于对所述电源电压和所述第一基准电压进行处理，输出第二基准电压；所述低压差线性稳压主模块，用于基于所述第一基准电压、所述第二基准电压和所述输入端输入的输入电压，在所述第一输出端和地端之间输出第一电压，在所述第二输出端和所述输入端之间输出第二电压。可以根据实际应用场景切换为不同的工作模式，得到稳定的输出电压。
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公开(公告)号：CN115065473B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202210406046.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SoC的低功耗椭圆曲线数字签名系统，包括APB接口模块、ECDSA系统控制模块、签名模块、验签模块、电源管理模块以及多电源域模块，其中，APB接口模块用于CPU向ECDSA系统传输签名和验签过程中的相关数据；ECDSA系统控制模块连接签名模块和验签模块，用于实现ECDSA系统签名或验签过程的控制及功能实现；多电源域模块包括总线常开电源域、系统顶层可关断电源域、签名功能可关断电源域以及验签功能可关断电源域；电源管理模块用于配置功耗模式，并根据功耗模式控制各电源域的闭合或断开。本发明利用多电源域、门控电源、门控时钟技术，能够规划系统电源网络，并依据系统各模块具体功能确定可关断电源域和常开电源域，显著降低ECDSA系统的功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114815954B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202210417802.7
申请日：2022-04-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开了一种预稳压的零电流损耗单管栅控电路，包括：后端电路和与所述后端电路电连接的一个MOSFET器件；所述MOSFET器件的阈值电压为零限值；采用所述MOSFET器件的栅电压控制进行预稳压为所述后端电路提供预稳压电位。本发明仅仅使用一个阈值电压为零限值的MOSFET器件或者耗尽型的MOSFET器件就可以实现预稳压，分别使用正栅电压控制与背栅电压控制实现预稳压，预稳压部分不引入额外的电流支路，其上所消耗电流为系统本身固有电流损耗，没有额外的电流损耗，且大幅度提升基准电压的PSRR特性，实现良好的预稳压效果；单个器件实现电路最小化，最小化芯片面积；不涉及稳定性问题，设计更加简单，应用范围较广，可以应用在高压预稳压集成电路设计等领域。
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公开(公告)号：CN114326910B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202111654998.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种带隙基准电压生成电路，涉及带隙基准集成电路领域，包括：反馈型启动与偏置电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压输出电路。本发明能快速启动产生基准电压，降低带隙基准电压温漂系数，提高电源抑制比，使输出的基准电压受电源电压、温度的影响降低。同时通过数字信号控制手段，采用数字修调电路结构对输出电压进行补偿，从而获取精准的输出电压，在总体上提升带隙基准电路的性能。
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公开(公告)号：CN113985953B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111172489.7
申请日：2021-10-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种具有过温保护与软启动特性的非带隙基准源，包括：基准模块，用于产生基准电压信号和过温采样信号；逻辑控制模块，连接基准模块，用于根据基准电压信号和过温采样信号产生控制信号；过温保护与软启动模块，连接和逻辑模块，用于根据控制信号产生软启动信号和过温保护信号，以对整个电路系统的工作状态进行调整。本发明提供的电路不仅同时具备过温保护与软启动功能，且避免了另外设计基准切换电路，大大提升了系统工作的线性度，提高了输出基准的PSRR特性。
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公开(公告)号：CN113760029B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202111016641.2
申请日：2021-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种基于全MOS基准源的新型低压差线性稳压器，包括基准模块、放大模块、功率模块、保护模块、瞬态响应模块及反馈模块，其中，基准模块包括参考电压产生电路，参考电压产生电路包括N型耗尽管NDEP1、NDEP2，N型增强管N3，电阻R1、R2以及电容C1；NDEP1管的漏极接电源电压端VDD，其栅极与源极共同连接NDEP2管的漏极；NDEP2管的栅极与源极相连并共同连接N3管的栅极，且通过电阻R1连接N3管的漏极；N3管的源极与衬底均接地，N3管的漏极作为采样端VT连接保护模块；NDEP2管的栅极与源极的公共端还与电阻R2、电容C1串接，电容C1的另一端接地；电阻R2和电容C1的公共端作为参考电压端VREF连接放大模块。本发明提供的稳压器减小了芯片面积，提升了电路性能。
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公开(公告)号：CN115065473A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210406046.8
申请日：2022-04-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于SoC的低功耗椭圆曲线数字签名系统，包括APB接口模块、ECDSA系统控制模块、签名模块、验签模块、电源管理模块以及多电源域模块，其中，APB接口模块用于CPU向ECDSA系统传输签名和验签过程中的相关数据；ECDSA系统控制模块连接签名模块和验签模块，用于实现ECDSA系统签名或验签过程的控制及功能实现；多电源域模块包括总线常开电源域、系统顶层可关断电源域、签名功能可关断电源域以及验签功能可关断电源域；电源管理模块用于配置功耗模式，并根据功耗模式控制各电源域的闭合或断开。本发明利用多电源域、门控电源、门控时钟技术，能够规划系统电源网络，并依据系统各模块具体功能确定可关断电源域和常开电源域，显著降低ECDSA系统的功耗。
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