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公开(公告)号：CN105609944A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510998505.6
申请日：2015-12-28
Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院 , 西安电子科技大学
CPC classification number: H01Q1/38 , H01Q1/2283
Abstract: 本发明提出了一种基于空腔结构的双层分形微带射频封装天线，用于解决现有封装天线体积大和应用灵活性差的技术问题；包括自上而下依次层叠的第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板和第四介质基板，其中第二介质基板和第三介质基板的中心分别设置有密闭长方体结构的第一空气腔体和第二空气腔体，在这两块介质基板的上表面分别印制有一阶Minkowski分形结构的第一金属贴片和第二金属贴片，在第四介质基板的中心设置有腔体，其四周侧壁上设置有多个纵向的第二金属化通孔，在第三介质基板和第四介质基板的下表面分别印制有第三金属贴片和第四金属贴片。本发明的体积小且应用灵活性强，可用于2.38-2.59GHz频段内的无线通信。
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公开(公告)号：CN105609944B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510998505.6
申请日：2015-12-28
Applicant: 西安电子科技大学昆山创新研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于空腔结构的双层分形微带射频封装天线，用于解决现有封装天线体积大和应用灵活性差的技术问题；包括自上而下依次层叠的第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板和第四介质基板，其中第二介质基板和第三介质基板的中心分别设置有密闭长方体结构的第一空气腔体和第二空气腔体，在这两块介质基板的上表面分别印制有一阶Minkowski分形结构的第一金属贴片和第二金属贴片，在第四介质基板的中心设置有腔体，其四周侧壁上设置有多个纵向的第二金属化通孔，在第三介质基板和第四介质基板的下表面分别印制有第三金属贴片和第四金属贴片。本发明的体积小且应用灵活性强，可用于2.38‑2.59GHz频段内的无线通信。
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公开(公告)号：CN114430097B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202111458524.1
申请日：2021-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P1/20 , H01P1/212 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供的一种用于三维集成电路的硅通孔型开口谐振环带阻滤波器，是基于TSV技术构造的三维结构，可同步实现三维集成电路堆叠层间的滤波和信号传播过程，避免了将平面滤波器引入三维集成电路所需添加的额外信号布线与相应的噪声串扰。同时，由于本发明中开口谐振环阵元在立体空间中可呈十字型布局围绕信号通路，而传统平面型结构仅能在平面上导体的两侧布局阵元，使得本发明可以进一步压缩信号在阻带内的增益，因此本发明具有更强的带阻特性。并且本发明中一部分平面布线长度被转换为了垂直方向的TSV高度，相较于传统平面型结构有效降低了所占用面积，节省的布线层空间可用于互连或其它片上器件的布线，使得本发明具有更高的集成密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114512783B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210033820.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器，包括：自上而下依次层叠设置的顶部布线层、衬底层和底部布线层，顶部布线层设置在衬底层的上表面，底部布线层设置在衬底层的下表面，顶部布线层内设置有顶部互连线，衬底层内垂直贯穿设置有若干TSV通孔和若干同轴TSV通孔，底部布线层内设置有底部互连线。本发明的基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器，利用了同轴TSV内外层间的耦合特性并将其与衬底上下两部分多层布线交替连接，对电路拓扑中的耦合部分进行了等效，实现了1至4端口间结构的三维化，该结构相较于传统的耦合微带线结构其特性调整灵活度更高，减少了最小线间距等工艺限制的影响。
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公开(公告)号：CN114512783A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210033820.5
申请日：2022-01-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器，包括：自上而下依次层叠设置的顶部布线层、衬底层和底部布线层，顶部布线层设置在衬底层的上表面，底部布线层设置在衬底层的下表面，顶部布线层内设置有顶部互连线，衬底层内垂直贯穿设置有若干TSV通孔和若干同轴TSV通孔，底部布线层内设置有底部互连线。本发明的基于同轴硅通孔工艺的三维片上环形定向耦合器，利用了同轴TSV内外层间的耦合特性并将其与衬底上下两部分多层布线交替连接，对电路拓扑中的耦合部分进行了等效，实现了1至4端口间结构的三维化，该结构相较于传统的耦合微带线结构其特性调整灵活度更高，减少了最小线间距等工艺限制的影响。
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公开(公告)号：CN112087214A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010964493.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺，巴伦结构包括硅基片以及依次设置在其上的TSV耦合单元、底部RDL互连线、顶部互连线和接地通孔。TSV耦合单元由TSV两两电容性耦合形成。顶部互连线设置在硅基片的顶部，RDL互连线则设置在硅基片的底部，每段均由两条平行的矩形导体组成。多组顶部互连线、耦合单元与RDL互连线连接形成曲折线形的巴伦总耦合路径。本发明可用于实现将单端非平衡信号转换为双端平衡输出信号的巴伦电路功能，与现有技术相比具有集成密度更高、垂直互连串扰与噪声更小、可选频率范围广的优点。
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公开(公告)号：CN112087214B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010964493.6
申请日：2020-09-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种TSV耦合和RDL互连的片上无源巴伦及制作工艺，巴伦结构包括硅基片以及依次设置在其上的TSV耦合单元、底部RDL互连线、顶部互连线和接地通孔。TSV耦合单元由TSV两两电容性耦合形成。顶部互连线设置在硅基片的顶部，RDL互连线则设置在硅基片的底部，每段均由两条平行的矩形导体组成。多组顶部互连线、耦合单元与RDL互连线连接形成曲折线形的巴伦总耦合路径。本发明可用于实现将单端非平衡信号转换为双端平衡输出信号的巴伦电路功能，与现有技术相比具有集成密度更高、垂直互连串扰与噪声更小、可选频率范围广的优点。
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公开(公告)号：CN114430097A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111458524.1
申请日：2021-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01P1/20 , H01P1/212 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供的一种用于三维集成电路的硅通孔型开口谐振环带阻滤波器，是基于TSV技术构造的三维结构，可同步实现三维集成电路堆叠层间的滤波和信号传播过程，避免了将平面滤波器引入三维集成电路所需添加的额外信号布线与相应的噪声串扰。同时，由于本发明中开口谐振环阵元在立体空间中可呈十字型布局围绕信号通路，而传统平面型结构仅能在平面上导体的两侧布局阵元，使得本发明可以进一步压缩信号在阻带内的增益，因此本发明具有更强的带阻特性。并且本发明中一部分平面布线长度被转换为了垂直方向的TSV高度，相较于传统平面型结构有效降低了所占用面积，节省的布线层空间可用于互连或其它片上器件的布线，使得本发明具有更高的集成密度。
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