Patent search ap:("西安电子科技大学") AND inv:"林隆华" Page 1

1.

发明公开
一种MOS辅助触发的低过冲DTSCR静电防护器件审中-实审

公开(公告)号：CN119050111A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411175555.X

申请日：2024-08-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 陈树鹏 , 林隆华 , 刘红侠 , 王树龙 , 马博阳

IPC: H01L27/02 , H02H9/04

Abstract: 本发明公开了一种MOS辅助触发的低过冲DTSCR静电防护器件，包括：P衬底和在P衬底上依次设置的第一P阱、第一N阱、第二P阱、第二N阱和第三N阱；第一P阱与第一N阱相邻，第一N阱与第二P阱相邻，第二P阱和第二N阱间隔第六隔离沟槽，第二N阱和第三N阱间隔第八隔离沟槽；第一P阱和第一N阱设有NPN型和PNP型BJT，第二P阱设有NMOS，第二N阱设有二极管D1，第三N阱设有二极管D2；PNP型和NPN型BJT以及二极管D1和D2构成DTSCR；NMOS对其电流泄放路径进行分流，并将电流注入NPN型BJT的基极以加速其发射结导通。本发明能够有效提高DTSCR的导通速度和降低DTSCR的过冲电压。

Patent Agency Ranking