公开(公告)号：CN115422712A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202210914010.0

申请日：2022-08-01

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 陈华 ,  杨济宁 ,  何亮 ,  张彦军 ,  乔彬

IPC: G06F30/20 ,  G01R31/26

Abstract: 一种MOSFETs栅氧化层陷阱原子构型的识别方法，搭建MOSFETs近界面氧化层的原子级模型，并引入各类单一缺陷构型，由此形成若干包含单一缺陷构型的缺陷模型；对各缺陷模型进行电子态密度计算，定性表征由相应缺陷所引入的电子态密度峰，即电中性缺陷能级位置；利用缺陷形成能定义，拟合求解各缺陷模型在不同电荷态之间的电荷转变能级，即带电缺陷能级位置；测量MOSFETs器件的低频1f漏电流噪声功率谱，并求解MOSFETs器件栅氧化层内的陷阱分布，分析陷阱中心位置；将电中性缺陷能级位置、带电缺陷能级位置与陷阱中心位置进行对比，识别引发MOSFETs器件漏电流噪声的陷阱原子构型。

公开(公告)号：CN114355141A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111682008.7

申请日：2021-12-31

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 陈华 ,  张彦军 ,  杨济宁 ,  何亮

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种MOSFETs的栅氧化层陷阱表征方法，其步骤如下：1)测量转移特性提取阈值电压，在线性区测试器件噪声功率谱密度Sid；2)根据测量数据绘制双y轴图，判断噪声涨落机理；3)计算在某一栅压Vg下栅氧化层的陷阱能量位置分布；4)对所有栅压重复步骤3，绘制氧化层陷阱的能量位置分布图。该方法突破了仅用均匀分布或者指数分布表征陷阱随位置分布的局限性，且同时考虑了陷阱位置和能量分布的不均匀性，并通过绘制三维图像，可清晰观察氧化层陷阱随能量位置的分布。

公开(公告)号：CN115172196B

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202210724993.1

申请日：2022-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 陈华 ,  杨济宁 ,  何亮 ,  张彦军 ,  汪显宇

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: 一种考虑库伦散射的MOSFETs栅氧化层陷阱随位置分布的表征方法，选取漏极电压，对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；通过迭代方法确定除氧化层陷阱库伦散射之外其它所有散射机理决定的沟道载流子迁移率；通过迭代方法确定不同栅压下的库伦散射系数以及氧化层陷阱密度随位置的变化。本发明可应用于不同的偏置条件包括阈值电压附近及强反型区等，可应用于不同的陷阱位置分布，而不是局限于陷阱随位置均匀分布或指数分布，能反应同一类样品不同个体之间的差异性，且具有更强的精度，进而可用于评估MOSFETs的性能和可靠性，可进一步用于指导MOSFETs的制造。

公开(公告)号：CN115172196A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202210724993.1

申请日：2022-06-24

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 陈华 ,  杨济宁 ,  何亮 ,  张彦军 ,  汪显宇

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

Abstract: 一种考虑库伦散射的MOSFETs栅氧化层陷阱随位置分布的表征方法，选取漏极电压，对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；通过迭代方法确定除氧化层陷阱库伦散射之外其它所有散射机理决定的沟道载流子迁移率；通过迭代方法确定不同栅压下的库伦散射系数以及氧化层陷阱密度随位置的变化。本发明可应用于不同的偏置条件包括阈值电压附近及强反型区等，可应用于不同的陷阱位置分布，而不是局限于陷阱随位置均匀分布或指数分布，能反应同一类样品不同个体之间的差异性，且具有更强的精度，进而可用于评估MOSFETs的性能和可靠性，可进一步用于指导MOSFETs的制造。