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公开(公告)号：CN116960190A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310967926.7
申请日：2023-08-02
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种GaN基准垂直结势垒肖特基二极管及其制备方法，该二极管包括：衬底层、缓冲层、N+传输层、N‑漂移层、阴极、阳极凹槽、P+二次外延层、介质层和阳极。本发明所制备的阳极肖特基金属深入阳极凹槽中并被P+二次外延层包围，竖状阳极肖特基金属可以有效分散器件反向偏置时的电场，提高二极管的反向耐压能力，减小反向漏电；N‑漂移层的斜面可以有效分散器件反向偏置时阳极附近的电场，增强二极管的反向耐压能力；P+二次外延层与介质层形成PiN结构，具有开启电压低、反向漏电小、耐压高和开关速率高的优点的同时，介质层可以减少漏电通路，进一步降低器件的反向漏电。
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