公开(公告)号：CN112881485B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110048542.6

申请日：2021-01-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王霄 ,  陈国强 ,  敖金平 ,  何悦 ,  王婷婷 ,  徐杨 ,  彭韬玮

IPC: G01N27/30 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法，包括由下至上依次设置衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、AlN层、本征AlGaN层，所述本征AlGaN层上并列设置有p‑GaN层、源极和漏极，p‑GaN层上设置有栅极，栅极上设置有金单质层，金单质层上附着有有机官能团；有机官能团为在常温常压且pH值为5～9条件下和次氯酸发生反应且反应前后存在极性或电负性差异的化合物。本发明使用有机官能团作为次氯酸根检测探头并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕捉有机官能团和次氯酸根反应产生的电位变化；使用p‑GaN层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免通电对次氯酸根测量准确性的影响。

公开(公告)号：CN112881485A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110048542.6

申请日：2021-01-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王霄 ,  陈国强 ,  敖金平 ,  何悦 ,  王婷婷 ,  徐杨 ,  彭韬玮

IPC: G01N27/30 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法，包括由下至上依次设置衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、AlN层、本征AlGaN层，所述本征AlGaN层上并列设置有p‑GaN层、源极和漏极，p‑GaN层上设置有栅极，栅极上设置有金单质层，金单质层上附着有有机官能团；有机官能团为在常温常压且pH值为5～9条件下和次氯酸发生反应且反应前后存在极性或电负性差异的化合物。本发明使用有机官能团作为次氯酸根检测探头并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕捉有机官能团和次氯酸根反应产生的电位变化；使用p‑GaN层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免通电对次氯酸根测量准确性的影响。

公开(公告)号：CN111755579A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010542599.7

申请日：2020-06-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王霄 ,  敖金平 ,  冶琼 ,  翟小崎 ,  王婷婷 ,  彭韬玮

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种新型的氧化锌基发光二极管及制造方法，包括P型硅衬底、圆柱形金属纳米颗粒阵列层、电子阻挡层和氧化锌(ZnO)层，通过金属纳米颗粒的局域表面等离子体效应增强ZnO的发光强度。本发明还公开所述发光二极管的制造方法，利用阳极氧化铝(AAO)薄膜制备纳米颗粒，可精确控制纳米颗粒的尺寸和间距。本发明的关键点在于利用AAO膜制备圆柱形金属纳米颗粒阵列，通过精确控制纳米颗粒阵列的形状、尺寸和间距，得到金属局域表面等离子体能量与ZnO激元能量最匹配的颗粒分布，最大程度增强ZnO发光，提高二极管的发光性能。