公开(公告)号：CN112881485A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110048542.6

申请日：2021-01-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王霄 ,  陈国强 ,  敖金平 ,  何悦 ,  王婷婷 ,  徐杨 ,  彭韬玮

IPC: G01N27/30 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法，包括由下至上依次设置衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、AlN层、本征AlGaN层，所述本征AlGaN层上并列设置有p‑GaN层、源极和漏极，p‑GaN层上设置有栅极，栅极上设置有金单质层，金单质层上附着有有机官能团；有机官能团为在常温常压且pH值为5～9条件下和次氯酸发生反应且反应前后存在极性或电负性差异的化合物。本发明使用有机官能团作为次氯酸根检测探头并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕捉有机官能团和次氯酸根反应产生的电位变化；使用p‑GaN层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免通电对次氯酸根测量准确性的影响。

公开(公告)号：CN111755530A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010543406.X

申请日：2020-06-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王霄 ,  王婷婷 ,  敖金平 ,  徐杨 ,  何悦 ,  冶琼

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L29/20 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明公开了一种基于双阳极结构的AlGaN/GaN基肖特基势垒二极管及制造方法，属于微电子技术领域，包括衬底和衬底上方的氮化镓外延层，氮化镓外延层上制备欧姆阴极以及具有两种功函数的肖特基阳极，所述的肖特基阳极中，低功函数肖特基阳极结构的正下方AlGaN势垒层被部分刻蚀或者全部刻蚀。高功函数的金属位于本征AlGaN势垒层上方并覆盖在低功函数金属上。本发明利用低功函数金属与二维电子气的接触，降低器件的开启电压，而高功函数肖特基金属抑制了器件的反向漏电，实现高的反向击穿电压，从而调控器件的正向以及反向电学特性，采用这种双阳极器件结构能够同时实现器件的低开启电压和高反向击穿电压，有利于器件在高速整流方面的应用。

公开(公告)号：CN112881485B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110048542.6

申请日：2021-01-14

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王霄 ,  陈国强 ,  敖金平 ,  何悦 ,  王婷婷 ,  徐杨 ,  彭韬玮

IPC: G01N27/30 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明公开了一种用于检测次氯酸根的GaN传感器及检测方法，包括由下至上依次设置衬底、AlN缓冲层、本征GaN层、AlN层、本征AlGaN层，所述本征AlGaN层上并列设置有p‑GaN层、源极和漏极，p‑GaN层上设置有栅极，栅极上设置有金单质层，金单质层上附着有有机官能团；有机官能团为在常温常压且pH值为5～9条件下和次氯酸发生反应且反应前后存在极性或电负性差异的化合物。本发明使用有机官能团作为次氯酸根检测探头并利用GaN半导体器件的二维电子气结构捕捉有机官能团和次氯酸根反应产生的电位变化；使用p‑GaN层结构改变传感器阈值电压，减小传感器能耗，并使其无需配合参比电极和对电极使用，避免通电对次氯酸根测量准确性的影响。