公开(公告)号：CN120068649A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510227078.5

申请日：2025-02-27

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王伟 ,  王铭 ,  娄顺喜 ,  连少凡 ,  李鹏 ,  张文武 ,  张庆东 ,  高迪

IPC: G06F30/27 ,  G06F18/214 ,  G06F17/16 ,  G06N3/0442 ,  G06N3/08 ,  G06F111/10

Abstract: 本发明公开了一种变曲率频率选择表面单元散射场的预测方法，对频率选择表面单元曲率进行对数采样，生成曲率采样点样本集，建立频率选择表面单元模型库并分别进行仿真求解，得到不同曲率频率选择表面单元的近场数据；求解无穷小偶极子位矢矩阵和无穷小偶极子组中的偶极矩，得到不同单元的偶极矩数据集；搭建长短期记忆深度神经网络模型，调整神经网络模型超参数，训练神经网络模型；预测偶极矩，并结合无穷小偶极子组位矢矩阵对频率选择表面单元散射场进行求解，完成频率选择表面单元散射场的预测。本发明能够准确计算任意曲率特征的频率选择表面单元散射场，提高了频率选择表面的设计效率，对于大规模频选表面散射计算具有重要的工程应用价值。