公开(公告)号：CN118472095A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410507523.9

申请日：2024-04-25

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  姚悠远 ,  王博 ,  尤杰 ,  张宁宁 ,  胡辉勇

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明涉及一种基于栅电极控制的红外波导光电探测器及其制备方法，探测器包括：衬底层、氧化层、波导层、吸收层、源电极、漏电极和栅电极，其中，波导层的一端形成有P型区，另一端形成有N型区；栅电极位于氧化层的内部，且位于P型区和N型区之间的波导层的下方，栅电极通过引出结构引出至氧化层的表面。通过对栅电极施加正栅压，能够实现对垂直方向光生载流子的控制，使光生载流子可以更好地以饱和速度运动，减小光生载流子进入沟道区的时间，在不影响器件响应度的同时提高了器件的探测灵敏度和工作速度；通过栅电极施加负栅压，器件在较小的反偏电压下即可实现雪崩，降低了器件的工作功耗。

公开(公告)号：CN118507577A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410540232.X

申请日：2024-04-30

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王利明 ,  姚悠远 ,  张磊 ,  米青 ,  张宁宁 ,  胡辉勇

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种双机制等离增强的硅基锗红外雪崩光电探测器及制备方法，光电探测器包括：SOI衬底、Ge外延层、金属光栅、第一电极和第二电极，其中，SOI衬底的顶层硅中设置有P区和N区，P区和N区间隔设置且贯穿顶层硅；Ge外延层位于P区和N区之间的顶层硅表面；金属光栅由若干金属纳米线形成，若干金属纳米线沿Ge外延层的长度方向分布在Ge外延层的表面；第一电极位于P区的表面，第二电极位于N区的表面。该光电探测器通过双机制等离增强提高了吸收效率，提高了光电探测器在红外通信波段的响应度，拓宽了光电探测器的探测范围，进一步提高硅基锗红外光电探测器在红外通信波段的探测能力，现了高性能的硅基锗红外光电探测器。