公开(公告)号：CN118213724A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410415547.1

申请日：2024-04-08

申请人： 西安电子工程研究所

发明人： 白冰 ,  余增强 ,  苏建仓 ,  胡祥刚 ,  韩晶旺 ,  鲁小刚 ,  纪媛 ,  齐展锋

IPC分类号： H01P1/19

摘要： 本发明涉及一种提高闭锁式铁氧体移相器功率容量及移相效率的方法，属于微波技术领域。将移相器矩形铁氧体环由一体成型结构，改为截面为C字形结构的磁轭与平板铁氧体组合实现矩形环；平板铁氧体与加载介质的外环面镀金属膜，形成移相段传输线；截面为C字形结构的磁轭及励磁导线在移相段传输线之外。本发明的移相段采用镀膜的铁氧体基片与C字形磁轭粘接合成，励磁导线整个在高功率微波传输线之外，矩形环中承受功率能力较弱的水平臂不传输微波信号，该结构形式能够很大程度提高移相器的峰值功率容量。矩形环的外侧垂直臂不传输微波信号从而不抵消内侧垂直臂移相效率，该结构形式能够很大程度提高移相效率。

公开(公告)号：CN115694445A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202211376241.7

申请日：2022-11-04

申请人： 西安电子工程研究所

发明人： 张小虎 ,  白冰 ,  云龙 ,  冯超豪 ,  江承财 ,  王兵奇 ,  王雪莉 ,  杜龙涛 ,  齐展锋 ,  张思

IPC分类号： H03K17/041 ,  H03K17/30 ,  H03K17/74

摘要： 本发明涉及一种MOS管类型的PIN二极管器件激励电路及开关速度调节方法，适用于需要开关速度更快、激励电流大小可以灵活调节的PIN二极管器件激励场合。本发明电路包括直流供电电源、信号发生器、比较电路、反向偏置激励电路和正向偏置激励电路。采用该MOS管类型的激励电路，不仅使PIN二极管器件的开关速度更快，同时也可以灵活调节PIN二极管器件激励时的电流大小。