公开(公告)号：CN119528566A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411737890.4

申请日：2024-11-29

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 朱孝培 ,  张思雨 ,  杨钊 ,  张乐 ,  张宝东 ,  尉俊月 ,  樊建男 ,  朱明歌 ,  王绗鉴 ,  游才印 ,  田娜

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  C03C17/34 ,  H01G4/228 ,  H01G4/224 ,  H01G4/005 ,  H01G13/00 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种介电陶瓷及基于其的具有透明壳体的储能‑荧光介电电容器和方法，属于无铅介电陶瓷电容器技术领域。本发明公开的介电陶瓷结构致密、晶粒尺寸小、元素分布均匀的特点，从而表现出介电常数大、储能性能良好、荧光强度高且发射光接近白光的优异特性。本发明公开的具有透明壳体的储能‑荧光介电电容器，具有透光率高、使用温度高、荧光检测灵敏的特点，适用于介电电容器的非接触式无损检测领域，在介电电容器的结构相变监控、服役失效等方面具有较大的应用价值。

公开(公告)号：CN119409501A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411576710.9

申请日：2024-11-06

Applicant: 西安理工大学

Inventor： 朱孝培 ,  朱明歌 ,  张思雨 ,  张宝东 ,  王绗鉴 ,  游才印 ,  田娜

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基高熵介电陶瓷及其制备方法和应用，属于介电储能陶瓷材料技术领域。本发明公开的钛酸钡基高熵介电陶瓷，通过优化x的数值弥补烧结过程中的元素挥发并同时调控元素的掺入含量，有利于同时获得优异的储能性能和介电性能，钛酸钡基高熵介电陶瓷具有优异的介电特性，有利于获得更低损耗、介电波动更小的陶瓷，所述钛酸钡基高熵介电陶瓷具有温度稳定性好、剩余极化低、有效储能密度大和优异的介电性能，解决了现有的材料介电损耗大的技术问题。