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公开(公告)号：CN110415988B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201910712840.3
申请日：2019-08-02
Applicant: 西安建筑科技大学
Abstract: AAO模板为支架的石墨烯量子点纳米管GO/YCoO3纳米阵列电极材料的制备，包括以下步骤；步骤(1)采用两步阳极氧化法制备孔径可控的纳米多孔阵列AAO模板；步骤(2)电化学剥离法刻蚀剥离Staudenmaier法制得石墨烯GO纳米片；用聚四氟乙烯抽滤膜过滤后的滤液透析处理得石墨烯GO量子点溶液；步骤(3)采用电化学沉积法在AAO模板的孔道里沉积石墨烯GO量子点，形成AAO/GO量子点纳米管阵列；步骤(4)：用真空旋涂法在步骤(3)得到的AAO/GO量子点纳米阵列管中沉积YCoO3溶胶前躯体阵列；步骤(5)煅烧步骤(4)得到的AAO/GO/YCoO3溶胶前躯体使之转化为AAO/GO/YCoO3纳米管阵列，从而形成同轴异质结构的纳米管阵列AAO/GO/YCoO3电极材料。本发明具有能量密度能得以提高，综合性能优良的特点。
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公开(公告)号：CN103290452B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310120193.X
申请日：2013-04-08
Applicant: 西安建筑科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耐蚀性的纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜的制备方法，在铝及其合金二次阳极氧化后再在含有强氧化剂的稀土盐的溶液中电沉积或化学沉积制备纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜。该方法在第二次铝阳极氧化过程倾斜阴极，控制铝基阳极氧化纳米阵列中氧化铝阵列的结构，提高铝基体和氧化铝的结合力。本发明的成膜方法不腐蚀掉铝基体上的氧化铝阻挡层也能在多孔层中沉积高质量的二氧化铈膜，工艺简单，阴极沉积成膜温度为室温，化学成膜温度低于60℃，生产周期短，所需设备简单，成的膜耐腐蚀性高。实现了绿色环保生产。
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公开(公告)号：CN103290452A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310120193.X
申请日：2013-04-08
Applicant: 西安建筑科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耐蚀性的纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜的制备方法，在铝及其合金二次阳极氧化后再在含有强氧化剂的稀土盐的溶液中电沉积或化学沉积制备纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜。该方法在第二次铝阳极氧化过程倾斜阴极，控制铝基阳极氧化纳米阵列中氧化铝阵列的结构，提高铝基体和氧化铝的结合力。本发明的成膜方法不腐蚀掉铝基体上的氧化铝阻挡层也能在多孔层中沉积高质量的二氧化铈膜，工艺简单，阴极沉积成膜温度为室温，化学成膜温度低于60℃，生产周期短，所需设备简单，成的膜耐腐蚀性高。实现了绿色环保生产。
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公开(公告)号：CN110415988A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910712840.3
申请日：2019-08-02
Applicant: 西安建筑科技大学
Abstract: AAO模板为支架的石墨烯量子点纳米管GO/YCoO3纳米阵列电极材料的制备，包括以下步骤；步骤(1)采用两步阳极氧化法制备孔径可控的纳米多孔阵列AAO模板；步骤(2)电化学剥离法刻蚀剥离Staudenmaier法制得石墨烯GO纳米片；用聚四氟乙烯抽滤膜过滤后的滤液透析处理得石墨烯GO量子点溶液；步骤(3)采用电化学沉积法在AAO模板的孔道里沉积石墨烯GO量子点，形成AAO/GO量子点纳米管阵列；步骤(4)：用真空旋涂法在步骤(3)得到的AAO/GO量子点纳米阵列管中沉积YCoO3溶胶前躯体阵列；步骤(5)煅烧步骤(4)得到的AAO/GO/YCoO3溶胶前躯体使之转化为AAO/GO/YCoO3纳米管阵列，从而形成同轴异质结构的纳米管阵列AAO/GO/YCoO3电极材料。本发明具有能量密度能得以提高，综合性能优良的特点。
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