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公开(公告)号：CN103290452B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310120193.X
申请日：2013-04-08
Applicant: 西安建筑科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耐蚀性的纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜的制备方法，在铝及其合金二次阳极氧化后再在含有强氧化剂的稀土盐的溶液中电沉积或化学沉积制备纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜。该方法在第二次铝阳极氧化过程倾斜阴极，控制铝基阳极氧化纳米阵列中氧化铝阵列的结构，提高铝基体和氧化铝的结合力。本发明的成膜方法不腐蚀掉铝基体上的氧化铝阻挡层也能在多孔层中沉积高质量的二氧化铈膜，工艺简单，阴极沉积成膜温度为室温，化学成膜温度低于60℃，生产周期短，所需设备简单，成的膜耐腐蚀性高。实现了绿色环保生产。
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公开(公告)号：CN103290452A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310120193.X
申请日：2013-04-08
Applicant: 西安建筑科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耐蚀性的纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜的制备方法，在铝及其合金二次阳极氧化后再在含有强氧化剂的稀土盐的溶液中电沉积或化学沉积制备纳米阵列氧化铝/二氧化铈复合膜。该方法在第二次铝阳极氧化过程倾斜阴极，控制铝基阳极氧化纳米阵列中氧化铝阵列的结构，提高铝基体和氧化铝的结合力。本发明的成膜方法不腐蚀掉铝基体上的氧化铝阻挡层也能在多孔层中沉积高质量的二氧化铈膜，工艺简单，阴极沉积成膜温度为室温，化学成膜温度低于60℃，生产周期短，所需设备简单，成的膜耐腐蚀性高。实现了绿色环保生产。
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公开(公告)号：CN101966510B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010294865.5
申请日：2010-09-28
Applicant: 西安建筑科技大学 , 深圳正丰坤田科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种滴漏式液面降沉下拉或斜拉制备薄膜材料的设备，包括放置在支撑台上的溶液箱体，溶液箱体内放置有上溶液池，溶液箱体的一侧设有液面高度标尺，上溶液池底部有溶液导孔，溶液导孔上连接有滴漏管和液量控制开关，在液量控制开关下方，放置有独立的下溶液池；溶液箱体上有顶盖，顶盖上有定位销，顶盖通过定位销与溶液箱体相连接，顶盖上留有温度计插孔；在顶盖中部固结有样品架，该样品架位于上溶液池上方，样品架上安装有薄膜基底托板。该设备结构简单，没有转动部件，稳定性好，能够实现对液面下降速率和薄膜生长速率精密可控、不耗电、成本低、适合于制备各种不同组分、形状和尺寸的薄膜产品。
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公开(公告)号：CN101966510A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN201010294865.5
申请日：2010-09-28
Applicant: 西安建筑科技大学 , 深圳正丰坤田科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种滴漏式液面降沉下拉或斜拉制备薄膜材料的设备，包括放置在支撑台上的溶液箱体，溶液箱体内放置有上溶液池，溶液箱体的一侧设有液面高度标尺，上溶液池底部有溶液导孔，溶液导孔上连接有滴漏管和液量控制开关，在液量控制开关下方，放置有独立的下溶液池；溶液箱体上有顶盖，顶盖上有定位销，顶盖通过定位销与溶液箱体相连接，顶盖上留有温度计插孔；在顶盖中部固结有样品架，该样品架位于上溶液池上方，样品架上安装有薄膜基底托板。该设备结构简单，没有转动部件，稳定性好，能够实现对液面下降速率和薄膜生长速率精密可控、不耗电、成本低、适合于制备各种不同组分、形状和尺寸的薄膜产品。
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公开(公告)号：CN201823672U
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201020545806.6
申请日：2010-09-28
Applicant: 西安建筑科技大学 , 深圳正丰坤田科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种滴漏式液面降沉下拉或斜拉制备薄膜材料的设备，包括放置在支撑台上的溶液箱体，溶液箱体内放置有上溶液池，溶液箱体的一侧设有液面高度标尺，上溶液池底部有溶液导孔，溶液导孔上连接有滴漏管和液量控制开关，在液量控制开关下方，放置有独立的下溶液池；溶液箱体上有顶盖，顶盖上有定位销，顶盖通过定位销与溶液箱体相连接，顶盖上留有温度计插孔；在顶盖中部固结有样品架，该样品架位于上溶液池上方，样品架上安装有薄膜基底托板。该设备结构简单，没有转动部件，稳定性好，能够实现对液面下降速率和薄膜生长速率精密可控、不耗电、成本低、适合于制备各种不同组分、形状和尺寸的薄膜产品。
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