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公开(公告)号：CN118591201A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410729252.1
申请日：2024-06-06
Applicant: 西安工程大学
Abstract: 本发明公开了一种基于埋底界面修饰的铅基钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域，能够解决现有钙钛矿太阳能电池的埋底界面存在较大缺陷，严重影响电池性能的问题。所述太阳能电池包括：透明导电基底；电子传输层、铅基钙钛矿层、空穴传输层和金属电极，依次形成在透明导电基底的表面；铅基钙钛矿层用于吸收光能并生成自由电子和空穴，电子传输层和空穴传输层分别用于传输自由电子和空穴，透明导电基底和金属电极分别用于收集自由电子和空穴；界面钝化层，涂覆在电子传输层和铅基钙钛矿层之间；界面钝化层的材料为苹果酸。本发明用于钝化铅基钙钛矿太阳能电池的埋底界面缺陷。
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