公开(公告)号：CN104362227A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410566837.2

申请日：2014-10-22

Applicant: 西安交通大学苏州研究院

Inventor： 张宏 ,  徐晓宙 ,  徐晓斌 ,  王勇 ,  王恒海

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L33/36 ,  H01L33/48 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明提供了一种高导电率的金属电极贴片的制备方法，该方法包括采用选用至少表层为氮化物的支撑基片，对所述支撑基片进行抛光处理或表面亲水性处理的步骤；所述基片包括硅片或耐高温陶瓷；所述硅片包括单晶硅片或多晶硅片，所述耐高温陶瓷包括不含氧化物的氮化物陶瓷和氧化物陶瓷。本发明的方法选用合适的材料，利用表面镀膜和表面处理相结合的方法，大大降低了电极同基片之间的结合力，可以直接用胶带等剥离，而且剥离表面非常光滑，基片上无金属残留。本发明不涉及到任何有机溶液过程，可以形成形状不限的电极贴片,克服了直接在器件上制备电极的复杂手续以及低导电率的特点。

公开(公告)号：CN104362227B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410566837.2

申请日：2014-10-22

Applicant: 西安交通大学苏州研究院

Inventor： 张宏 ,  徐晓宙 ,  徐晓斌 ,  王勇 ,  王恒海

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L33/36

Abstract: 本发明提供了一种高导电率的金属电极贴片的制备方法，该方法包括采用选用至少表层为氮化物的支撑基片，对所述支撑基片进行抛光处理或表面亲水性处理的步骤；所述基片包括硅片或耐高温陶瓷；所述硅片包括单晶硅片或多晶硅片，所述耐高温陶瓷包括不含氧化物的氮化物陶瓷和氧化物陶瓷。本发明的方法选用合适的材料，利用表面镀膜和表面处理相结合的方法，大大降低了电极同基片之间的结合力，可以直接用胶带等剥离，而且剥离表面非常光滑，基片上无金属残留。本发明不涉及到任何有机溶液过程，可以形成形状不限的电极贴片,克服了直接在器件上制备电极的复杂手续以及低导电率的特点。