公开(公告)号：CN119977587A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510457938.4

申请日：2025-04-14

Applicant: 西安交通大学 ,  咸阳亚华电子电器有限公司

Inventor： 杨建锋 ,  张洪源 ,  王波 ,  李春芳 ,  姜东宾 ,  刘恭智 ,  赵博

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B33/13 ,  C04B33/24 ,  C04B41/88 ,  H01C17/00 ,  H01C17/30

Abstract: 本发明公开了一种碳复合陶瓷线性电阻及其制备方法，属于电力电子元件技术领域。本发明提供了一种碳复合陶瓷线性电阻的制备方法包括以下步骤：将膨润土、碳化硅和纳米碳黑混合均匀后得到粉料，将粉料和乙醇混合均匀后烘干，加入粘结剂溶液，进行生坯成型，成型后得到生坯；在含氮元素气体气氛下，将生坯在1150℃~1300℃进行保温，得到试样；将试样打磨处理后，喷涂铝得到碳复合陶瓷线性电阻。本发明制备的碳复合陶瓷线性电阻的方法可以降低材料的电阻率并提高陶瓷电阻的抗热震性。

公开(公告)号：CN116813313A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310535989.5

申请日：2023-05-12

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  白宇松 ,  王波 ,  张洪源 ,  李凤 ,  夏鸿雁 ,  李春芳 ,  姜晓霞

IPC: C04B35/10 ,  C04B33/04 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/88 ,  H01C17/30 ,  H01C7/00

Abstract: 一种碳复合陶瓷线性电阻及其制备方法，属于电力电子元件技术领域，以氧化铝、膨润土、碳材料、石墨烯片为原料，通过球磨混料、压制生坯、气氛保护烧结、喷银处理等工艺，制备碳复合陶瓷线性电阻；本发明制备的碳复合陶瓷线性电阻的电阻率可通过调控碳添加量、烧结温度及保温时间进行一定范围的控制，同时具备良好的导热、抗腐蚀和抗热震能力，可广泛应用于高铁、地铁、轨道交能装备、高压输变电等领域。

公开(公告)号：CN107324807B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201710470661.4

申请日：2017-06-20

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王波 ,  赵杉 ,  丁克 ,  张南龙 ,  侯宝强 ,  李春芳 ,  杨建锋

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/622 ,  C04B35/634 ,  C03C3/095 ,  C04B35/63 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种低压高能SiC半导体电嘴材料的制备方法，包括以下步骤：1)按照体积配比，选取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的构成玻璃体系复合氧化物粉末，混合均匀，过200目筛储存备用；2)按照粉料重量：PVA重量＝95:5的比例加入8％固含量的PVA，手动混合均匀后，过80目筛，在80MPa压力下压制形成生坯；3)将生坯放入空气炉中进行烧结，升温速率为5℃/h，升温至450℃，保温12h；4)将排胶后的生坯放入真空烧结炉中，填充Ar，升温至1600～1800℃进行烧结，保温时间为1～3h，升温速率为5℃/min。本发明制备得到的SiC半导体复合材料具有发火电压低，火花能量大、不受气压和环境介质的影响，耐热冲击、耐电火花的腐蚀，熄灭再启动、高空性能好等优良性能。

公开(公告)号：CN102358697B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110201023.5

申请日：2011-07-18

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  杭勇 ,  张海鸥 ,  丁亚平 ,  林光 ,  李春芳 ,  鲍崇高 ,  韩志海

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/185 ,  C04B35/622

Abstract: 一种制备含有莫来石和氧化铝晶相长纤维的方法，其步骤如下：制备碱式氯化铝溶胶、前驱体溶胶、可纺溶胶、原生氧化铝基长纤维以及含有莫来石晶相的氧化铝基长纤维；该方法具有制备容易、成本低廉，制备的长纤维具有长度长、直径小、强度高以及柔软性好的优点。

公开(公告)号：CN102358697A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN201110201023.5

申请日：2011-07-18

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  杭勇 ,  张海鸥 ,  丁亚平 ,  林光 ,  李春芳 ,  鲍崇高 ,  韩志海

IPC: C04B35/10 ,  C04B35/185 ,  C04B35/622

Abstract: 一种含有莫来石晶相的氧化铝基长纤维，其晶体结构为莫来石晶形或由莫来石和氧化铝两种晶形组成，若由两种晶形组成，其中莫来石晶形含量占总晶形含量为a，且2.6％≤a＜100％，而氧化铝晶形为不定形氧化铝晶形和α-氧化铝晶形中的一种或两种，若为两种，则两种晶形为任意比，所述长纤维其原生纤维直径为1-50μm，长度大于30m，烧成纤维的直径为0.5-40μm，长度大于20m；其制备方法如下：制备碱式氯化铝溶胶、前驱体溶胶、可纺溶胶、原生氧化铝基长纤维以及含有莫来石晶相的氧化铝基长纤维；该方法具有制备容易、成本低廉，制备的长纤维具有长度长、直径小、强度高以及柔软性好的优点。

公开(公告)号：CN101704160B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200910219298.4

申请日：2009-12-03

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  李军 ,  陈俊凌 ,  乔冠军 ,  鲍崇高 ,  李春芳

IPC: B23K20/00 ,  B23K20/24 ,  C25D5/28 ,  C25D5/38 ,  C25D3/12

Abstract: 一种钨与铜及其合金异种金属连接方法，包括下述步骤：先将钨金属表面加工并表面处理；再将钨金属镀镍、表面加工和清洗；然后将铜合金加工、清洗；最后将钨与铜合金叠放装配成焊件，于真空室中压力扩散焊连接，最后得到连接件；本发明突出的特点在于钨铜真空扩散连接之前，首先在金属钨表面电镀一层薄镍，随后再与铜合金进行真空扩散焊实现钨铜异种金属的扩散连接；本发明工艺操作简便、成本低、连接效果好，剪切强度可以达到钨母材的50-80％，为钨与铜异种金属连接开创了新的途径。

公开(公告)号：CN101323524B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200810017970.7

申请日：2008-04-15

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 高积强 ,  杨建锋 ,  刘光亮 ,  程基宽 ,  戴培赟 ,  李春芳

IPC: C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种定向排列孔碳化硅多孔陶瓷的制备方法，首先按重量百分比，在基本原料碳化硅10～100％中加入碳粉0～30％，硅粉0～50％，氧化硅粉0～60％；其中碳化硅粒度为W3.5～P220，采用一种粒度或两种粒度级配；然后采用粉末堆积或陶瓷常规成形工艺将混合均匀的配料组成制成生坯，置于石墨坩埚或匣钵中；将坩埚或匣钵放入温度梯度为15～30℃/cm温度场的真空气氛烧结炉中，在压力为0.2～1×105Pa的氩气条件下升温至1900-2500℃，保温0.5-3小时；最后在气体保护下自然降温冷却，取出烧结体，即得到具有定向排列开孔结构的重结晶碳化硅多孔陶瓷。

公开(公告)号：CN101717900A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910219326.2

申请日：2009-12-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  鲁元 ,  陆伟忠 ,  刘荣臻 ,  乔冠军 ,  鲍崇高 ,  李春芳

IPC: C22C47/08 ,  C22C49/06 ,  C22C101/18

Abstract: 本发明公开了一种氮化硅增强铝基复合材料的制备方法，按重量百分比，将下述组分：氧化硅60～67.5％、碳黑22.5～30％、α-Si3N4晶种1～10％、Y2O31～10％，湿法球磨干燥后制备成混合粉末，过筛造粒后模压成形为坯件；将坯件在氮气压力为6个大气压条件加热到1750℃保温2小时烧结，获得相对密度为20-30％的多孔氮化硅预制体。将多孔氮化硅烧结体放入压铸机模腔内加热模腔至500～700℃，或者先单独预热烧结体至500～700℃后再放入压铸机模腔内；同时，将铝合金加热至熔融状态，倒入放置着预制体的模腔内，通过压力机将熔融铝合金液压入多孔氮化硅预制体中，最后待铸块冷却后从模腔取出进行热处理，即得到氮化硅增强铝基复合材料。

公开(公告)号：CN103395996A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310330161.2

申请日：2013-07-31

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  杨兴化 ,  白建光 ,  刘艳 ,  王波 ,  鲍崇高 ,  李春芳

IPC: C03C10/12

Abstract: 一种CBN磨具用铝硼硅系低熔点玻璃陶瓷结合剂的制备方法，采用SiO255-70%,Al2O35-20%,B2O35-15%,Na2O3-7.5%,K2O0.1-2%,Li2O1-6%，ZnO1-3%,CaO0.5-2%,MgO0.5-2%等氧化物作为玻璃陶瓷结合剂熔制原料，采用高温熔融，水淬的方法得到组成均一的玻璃陶瓷结合剂。通过在原料中加入氧化硼和氧化钠以降低结合剂软化温度，同时加入适量氧化锂，以保证结合剂烧结过程中析出低膨胀锂辉石晶体，使得玻璃陶瓷结合剂热膨胀系数降低，机械强度和化学稳定性提高。本发明的结合剂相比较传统的磨具用微晶玻璃陶瓷结合剂，具有熔制温度低，软化温度低，析晶控制方便，而且制得的玻璃陶瓷结合剂具有较低的热膨胀系数，较高的化学稳定性和机械强度。

公开(公告)号：CN101734925A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910219332.8

申请日：2009-12-04

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  鲁元 ,  陆伟忠 ,  刘荣臻 ,  乔冠军 ,  金志浩 ,  李春芳

IPC: C04B35/584 ,  C04B38/00 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法，按重量百分比，包括下述组分：硅粉10～80％、氧化硅10.7～60.7％、烧结助剂5～10％、碳黑4.3～24.3％。烧结助剂选自IIa族氧化物、IIIa族氧化物或稀土元素氧化物的至少一种；将上述粉末湿法混合球磨，得到混合粉末，然后模压成形，成形坯体放入气氛炉中，在氮气压力为＞1个大气压下加热到1700-1850℃保温1-10小时，即获得烧结体。本发明的氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于高温气氛及腐蚀性气氛下的气体分离用过滤器的基体材料，发电用燃气轮机，发动机，航天飞机等使用的耐热材料的强化材料等。