公开(公告)号：CN102522282B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201110384129.3

申请日：2011-11-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王小力 ,  刘卫华 ,  李昕 ,  贺永宁 ,  魏仙琦 ,  马可

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种光纤波导型光调制场发射纳米阴极及其制备方法。该光调制场发射的纳米阴极是指在光纤表面制作场发射纳米阴极，激光在沿光纤传播的途中将光能传递给场发射阴极，使得处于场发射阈值附近的纳米冷阴极在光场的作用下开启，以实现一种光调制的场发射冷阴极。从而为微波器件以及超快电子衍射系统或超快电子显微技术提供一种新型的微型化高频光脉冲调制场发射冷阴极电子源。

公开(公告)号：CN102522282A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110384129.3

申请日：2011-11-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王小力 ,  刘卫华 ,  李昕 ,  贺永宁 ,  魏仙琦 ,  马可

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公开了一种光纤波导型光调制场发射纳米阴极及其制备方法。该光调制场发射的纳米阴极是指在光纤表面制作场发射纳米阴极，激光在沿光纤传播的途中将光能传递给场发射阴极，使得处于场发射阈值附近的纳米冷阴极在光场的作用下开启，以实现一种光调制的场发射冷阴极。从而为微波器件以及超快电子衍射系统或超快电子显微技术提供一种新型的微型化高频光脉冲调制场发射冷阴极电子源。