公开(公告)号：CN116874292A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310979157.2

申请日：2023-08-03

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  连宦魁 ,  张南龙 ,  孙震宇 ,  智强 ,  王波 ,  史忠旗

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高强度的高纯二氧化硅陶瓷及其制造方法，其原料粉末由热解法制得的高纯SiO2磨细得来，粉末的粒径为0.1～80μm，分别通过模压成型以及冷等静压成型，在空气气氛中无压烧结，依据本发明在远低于石英玻璃烧制的温度下制造了强度与石英玻璃相当的高纯二氧化硅陶瓷材料，解决了现有的二氧化硅陶瓷材料存在的由于方石英析晶以及致密度低而削弱了其力学性能，从而限制了其替代石英玻璃应用于半导体光伏行业作为高纯石英器件的问题，大大降低了半导体及光伏行业的生产成本。

公开(公告)号：CN114956852A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210522682.7

申请日：2022-05-14

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 杨建锋 ,  常天骄 ,  张南龙 ,  孙震宇 ,  连宦魁 ,  潘鑫龙 ,  王波 ,  王继平 ,  史忠旗

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/573 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 通过多步反应烧结得到的具有极低残硅的碳化硅陶瓷及其制备方法，设计烧结体组织中的残碳量和碳密度以保证二次反的过量碳，以及一次反应的合适碳密度，设计原料的配比；按体积百分比，将酚醛树脂13‑25％、乙二醇11‑29％加入烧杯中搅拌1h，加入碳化硅粉1％‑40％、石油焦粉0％‑15％，中间相碳微球粉1％‑55％，聚乙二醇400 0.01％‑0.8％球磨4h‑8h，加入酚醛树脂质量10％‑16％的苯磺酰氯搅拌；真空消泡后将浆料注模，保温固化，在700℃‑900℃保温碳化；碳化处理后在1450℃‑1600℃渗硅5min‑60min，升温至1700℃‑2200℃保温1h‑3h，制得极低残硅量的反应烧结碳化硅陶瓷；本发明制备的具有极低残硅含量的反应烧结碳化硅陶瓷可广泛应用于核反应堆、高导热部件及集成电路核心装备中的关键零部件。