-
公开(公告)号：CN109163206B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201810797579.7
申请日：2018-07-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: F16N1/00
Abstract: 本发明公开了一种孔腔复合织构化表面及其制作方法和使用方法，孔腔复合织构化表面包括孔体织构层、腔体织构层；孔体织构层设置在外表面，孔体织构层设置有若干圆形通孔；腔体织构层紧贴孔体织构层设置，腔体织构层靠孔体织构层一端设有若干储油腔体。其功能在于储油腔体可以“储藏”润滑油液，圆形通孔不仅具有储存磨屑，散热和防止胶合的作用，同时润滑油液通过毛细作用从腔体中运输到摩擦表面。在摩擦过程中，金属板受力变形，润滑油液被挤出，表面形成有效油膜，当表面油膜破裂时，能更快形成有效油膜，保持更长时间低摩擦，进而改善机械配副的摩擦学特性，提高其运行可靠性并延长使用寿命。
-
公开(公告)号：CN109163206A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810797579.7
申请日：2018-07-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: F16N1/00
Abstract: 本发明公开了一种孔腔复合织构化表面及其制作方法和使用方法，孔腔复合织构化表面包括孔体织构层、腔体织构层；孔体织构层设置在外表面，孔体织构层设置有若干圆形通孔；腔体织构层紧贴孔体织构层设置，腔体织构层靠孔体织构层一端设有若干储油腔体。其功能在于储油腔体可以“储藏”润滑油液，圆形通孔不仅具有储存磨屑，散热和防止胶合的作用，同时润滑油液通过毛细作用从腔体中运输到摩擦表面。在摩擦过程中，金属板受力变形，润滑油液被挤出，表面形成有效油膜，当表面油膜破裂时，能更快形成有效油膜，保持更长时间低摩擦，进而改善机械配副的摩擦学特性，提高其运行可靠性并延长使用寿命。
-
公开(公告)号：CN105586635A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201610038089.X
申请日：2016-01-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种铸锭快速凝固的装置及方法，该装置主要包括底部热交换台，以及依次设置在底部热交换台上的石墨坩埚和石英坩埚；底部热交换台与石墨坩埚之间还设置有具有中空腔体的化学吸热反应换热器，且化学吸热反应换热器上设置有与其中空腔体相连通的进气口和排气口。该方法利用化学吸热反应换热器在铸锭生长过程中向化学吸热反应换热器中通入反应物，反应物在高温下发生化学吸热反应，从坩埚底部吸收大量热量，达到迅速冷却坩埚内的铸锭的目的。本发明相比于传统的气冷或水冷的吸热方式，化学吸热反应具有更大的热量吸收能力，可迅速冷却铸锭，提高铸锭凝固速度，同时在长晶初期可保证坩埚底部维持一定的过冷度，防止底部籽晶被熔化，进而提高晶体质量。
-
公开(公告)号：CN105603520B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201610037736.5
申请日：2016-01-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高速单晶生长装置及方法，主要涉及一种晶体冷却方式和输送反应物进行化学反应的反应筒。该反应筒采用耐高温材料，由进气筒和排气筒组成。进气筒开设有通道，通入参与反应的反应物和保护气体。反应物经由进气筒后，喷射到生长中的高温晶体表面，发生化学反应吸热，快速移除晶体表面的热量。排气筒用于将反应不完全的反应物以及反应产物气体排出炉体。进气筒和排气筒连为一个整体，固定在炉壁上。本发明首次将化学吸热反应应用于晶体生长中的强化冷却，能够快速移除晶体表面的热量，显著提升晶体内部的轴向温度梯度，从而提高晶体的生长速度。
-
公开(公告)号：CN106435711B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610854677.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B15/00
Abstract: 本发明公开了一种通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，主要涉及输送反应物并在其内部进行化学吸热反应的反应装置。该反应装置由石墨筒和反应筒组成。反应筒采用惰性材料制成。反应物由进口通入，在高温下的反应筒中发生化学吸热反应，降低反应装置表面及其附近氩气区域的温度，快速移除晶体表面的热量，反应不完全的反应物和反应产物由出口排出炉体。本单晶炉结构设计合理，反应物在反应装置中发生反应，能够避免反应过程中炉体内杂质的引入。本发明装置通过化学吸热反应强化冷却生长中的晶体，快速移除晶体表面的热量，显著提升晶体内部的轴向温度梯度，从而提高晶体的生长速度，达到降低晶体制备成本的目的。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104726930B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201510111742.6
申请日：2015-03-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在熔体区域具有搅拌环的直拉法单晶硅生长装置，包括由外向内依次设置的炉壁和隔热层，在隔热层中心的底部设置有能够旋转的支撑轴，支撑轴上依次设置有石墨坩埚和石英坩埚，在石英坩埚的外侧上设置有石墨加热器；在石墨坩埚内设置有搅拌环，且搅拌环的顶端与导流筒的底端相连，导流筒的顶端与设置在炉壁顶端且用于驱动导流筒和搅拌环旋转的驱动装置相连；使用时，搅拌环的底端浸渍在石墨坩埚内的硅熔体的上表面，生长的硅晶体通过提升装置牵引提升。本发明通过控制搅拌环的旋转来控制凝固界面的形状，减少了晶体生长过程中晶体旋转部件带来的不稳定性，相对于晶体旋转，搅拌环的旋转更为稳定可靠。
-
公开(公告)号：CN105603520A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610037736.5
申请日：2016-01-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种高速单晶生长装置及方法，主要涉及一种晶体冷却方式和输送反应物进行化学反应的反应筒。该反应筒采用耐高温材料，由进气筒和排气筒组成。进气筒开设有通道，通入参与反应的反应物和保护气体。反应物经由进气筒后，喷射到生长中的高温晶体表面，发生化学反应吸热，快速移除晶体表面的热量。排气筒用于将反应不完全的反应物以及反应产物气体排出炉体。进气筒和排气筒连为一个整体，固定在炉壁上。本发明首次将化学吸热反应应用于晶体生长中的强化冷却，能够快速移除晶体表面的热量，显著提升晶体内部的轴向温度梯度，从而提高晶体的生长速度。
-
公开(公告)号：CN104726930A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510111742.6
申请日：2015-03-13
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种在熔体区域具有搅拌环的直拉法单晶硅生长装置，包括由外向内依次设置的炉壁和隔热层，在隔热层中心的底部设置有能够旋转的支撑轴，支撑轴上依次设置有石墨坩埚和石英坩埚，在石英坩埚的外侧上设置有石墨加热器；在石墨坩埚内设置有搅拌环，且搅拌环的顶端与导流筒的底端相连，导流筒的顶端与设置在炉壁顶端且用于驱动导流筒和搅拌环旋转的驱动装置相连；使用时，搅拌环的底端浸渍在石墨坩埚内的硅熔体的上表面，生长的硅晶体通过提升装置牵引提升。本发明通过控制搅拌环的旋转来控制凝固界面的形状，减少了晶体生长过程中晶体旋转部件带来的不稳定性，相对于晶体旋转，搅拌环的旋转更为稳定可靠。
-
公开(公告)号：CN105586635B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201610038089.X
申请日：2016-01-20
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种铸锭快速凝固的装置及方法，该装置主要包括底部热交换台，以及依次设置在底部热交换台上的石墨坩埚和石英坩埚；底部热交换台与石墨坩埚之间还设置有具有中空腔体的化学吸热反应换热器，且化学吸热反应换热器上设置有与其中空腔体相连通的进气口和排气口。该方法利用化学吸热反应换热器在铸锭生长过程中向化学吸热反应换热器中通入反应物，反应物在高温下发生化学吸热反应，从坩埚底部吸收大量热量，达到迅速冷却坩埚内的铸锭的目的。本发明相比于传统的气冷或水冷的吸热方式，化学吸热反应具有更大的热量吸收能力，可迅速冷却铸锭，提高铸锭凝固速度，同时在长晶初期可保证坩埚底部维持一定的过冷度，防止底部籽晶被熔化，进而提高晶体质量。
-
公开(公告)号：CN106435711A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610854677.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/00
Abstract: 本发明公开了一种通过化学热沉强化冷却技术实现晶体快速生长的单晶炉，主要涉及输送反应物并在其内部进行化学吸热反应的反应装置。该反应装置由石墨筒和反应筒组成。反应筒采用惰性材料制成。反应物由进口通入，在高温下的反应筒中发生化学吸热反应，降低反应装置表面及其附近氩气区域的温度，快速移除晶体表面的热量，反应不完全的反应物和反应产物由出口排出炉体。本单晶炉结构设计合理，反应物在反应装置中发生反应，能够避免反应过程中炉体内杂质的引入。本发明装置通过化学吸热反应强化冷却生长中的晶体，快速移除晶体表面的热量，显著提升晶体内部的轴向温度梯度，从而提高晶体的生长速度，达到降低晶体制备成本的目的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.019 seconds)
