一种用于室外环境监测装置的封装盒装置

    公开(公告)号:CN109000699B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN201810587477.2

    申请日:2018-06-08

    Abstract: 本发明公开了一种用于室外环境监测装置的封装盒装置,通过设置用于放置室外环境监测装置的固定盒以及用于固定Ph计的Ph计固定环,将室外环境检测装置各模块固定于固定盒内,在箱体两侧和底部均开设有多个通孔,利用上盖密封箱体上端,在上盖两端均设有通风板,通风板上设有与箱体两侧通孔错位设置的通风孔,防止雨水飘入同时最大程度的保证封装盒的空气流通,利于传感器模块对环境参数的测定;在箱体内一侧设有雨水收集槽,箱体外侧与雨水收集槽对应设有集雨槽,雨水收集槽与集雨槽通过通孔连通,将Ph计的测量头设置于导水槽内,从而实现雨水的收集与测量,本装置结构简单、制造简便、容易装配。

    压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN109786422B

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201910064348.X

    申请日:2019-01-23

    Abstract: 本发明提供了一种压电激振受拉式硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法,压力传感器芯片主要包括密封玻璃盖、谐振器层、压力敏感膜层、应力隔离垫、压电激励元件和电阻拾振元件,采用压力敏感膜片和谐振器复合结构,为二次敏感模式,谐振器层包括谐振梁和扭转梁,相邻的两根谐振梁一端的延伸部连接至同一悬置扭转梁,另一端与质量块连接,质量块中部设置有耦合梁,谐振器通过连接点与锚点连接,应力隔离垫上设有导压孔,压力由导压孔传递到矩形压力敏感膜片引起其变形,该变形通过锚点放大,传递到谐振器层,谐振梁和耦合梁外表面上分别布置有压电激励元件和电阻拾振元件,压电激励元件和电阻拾振元件分别通过导线与外部电路连接。

    一种建筑构件弯曲变形检测传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN111879251A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010575999.8

    申请日:2020-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种建筑构件弯曲变形检测传感器及制备方法,采用硅基底作为梁膜结构与待测建筑构件贴合,在硅基底两端面分别设有二氧化硅层,提高硅基底耐用性,在硅基底另一侧形成背部凹槽,用于固定探针光纤,在端部形成锥形结构的光纤,背部凹槽内形成稳定的光反射空间,利用硅基底与待测建筑构件贴合表面的变形,形成不同的波形的变化,即可快速监测到待测建筑构件的弯曲变形值,采用光纤传感器,其灵敏度高、抗电磁干扰能力强、耐腐蚀、体积小、重量轻,光纤因为透明的材料特点,并不会对影响古建筑的外观,采用梁膜结构,体积小、精度高,具有巨大的应用价值,将光纤技术和梁膜结构相结合,可以有效实现对古建筑木结构变形的高精度检测。

    一种基于面内谐振的MEMS黏密度传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN107601424A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710855225.9

    申请日:2017-09-20

    Abstract: 本发明公开了一种基于面内谐振的MEMS黏密度传感器芯片及其制备方法,包括硅基底和硅微谐振梁结构,其中硅微谐振梁结构包括中间的振子以及振子两侧的弹性连接梁和弹性固支梁,振子每侧两根相互垂直的连接梁组成T型梁结构,振子及其两侧的弹性固支梁和T型梁分别布有两根导线,两导线沿振子长度方向平行分布,分别用于通入一定频率的正弦交变电流和检测产生的感应电动势,根据硅微谐振梁谐振状态时感应电动势输出幅值的大小可获得硅微谐振梁在被测流体中的谐振频率,通过在不同流体中硅微谐振梁的谐振频率和品质因子来实现流体黏度和密度的测量。MEMS黏密度传感器芯片基于面内振动原理,使用电磁激励、电磁检测的方法实现流体黏度和密度的准确测量。

    一种光纤F-P温度传感器的解调方法及系统

    公开(公告)号:CN106482862A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610866125.1

    申请日:2016-09-29

    CPC classification number: G01K11/32

    Abstract: 本发明公开了一种光纤F-P温度传感器的解调方法及系统,首先光源发出的光经传输光纤和光纤耦合器进入F-P温度传感器,其反射信号经光纤耦合器进入F-P滤波器,此时数字信号处理器控制DA转换器产生周期性的电压信号驱动滤波器,实现对反射信号的扫描,之后反射信号进入光电探测器进行光电转换,再经过放大电路,AD转换器进入数字信号处理器进行处理,然后经无线收发器传输给计算机显示记录,获得温度参量,实现高速解调。同时计算机连接着警报装置,当温度高于或者低于某一阈值时,便会触发报警。本发明采用的各个模块相对光谱仪而言,体积小,价格低,便于移动,在大大降低成本的同时又增加了实际应用中的便捷性。

    一种基于物联网的古建筑监测预警系统

    公开(公告)号:CN105137505A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201510586945.0

    申请日:2015-09-15

    CPC classification number: Y02A90/14

    Abstract: 本发明公开了一种基于物联网的古建筑监测预警系统,包括用于监测古建筑环境的无线传感器网络、云端数据服务器、实时监控平台;所述无线传感器网络包括网关节点、部署在古建筑各处的若干个传感节点,传感节点包括传感器模块、接口电路、第一控制器模块、第一无线通信模块;所述的网关节点包括第二无线通信模块、第二控制器模块、网络通信模块。紧密配合协作形成了从信息采集、传输、融合、显示等嵌套式、连贯的处理流程,有效提高了监测古建筑相关环境因素数据在时间上的连续性和空间分布的高效性,同时大大降低了人力物力的成本,能够应对突发的灾害而做出及时的预警,能够对监测数据进行智能分析和判断。

    一种双参量一体化传感器及其制备方法和监测系统

    公开(公告)号:CN112179535B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202010888331.9

    申请日:2020-08-28

    Abstract: 本发明公开了一种双参量一体化传感器及其制备方法和监测系统,通过去除光纤表面的涂覆层和包层去并除杂,在同一段裸纤上采用熔接机对除杂后的裸纤进行挤压熔接形成两个间隔的光纤粗锥,利用激光刻写方法在两个光纤粗锥之间的光纤中刻写光栅,从而得到双参量一体化光纤传感器,能够同时用于应变和温度参量的测量,通过在一根光纤上制作两个粗锥耦合点,构成马赫曾德尔传感器,并在传感臂上采用飞秒激光刻写技术制作光纤光栅,采用光纤结构,不易腐蚀且灵敏度高,不易受到电磁干扰,在同一个监测点上能够同时获取应变和温度参量,提高了测量精度和检测范围。

    一种MEMS压阻式两轴加速度传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN107907710B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201710919747.0

    申请日:2017-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式两轴加速度传感器芯片及其制备方法,包括四组相同的子结构,四个子结构均匀对称分布于固定岛周围。固定岛与质量块之间通过内支撑梁连接,质量块与外框之间通过外支撑梁连接。敏感梁对称分布于外支撑梁两侧,敏感梁的一端与质量块的一端连接,另一端与外框连接。关于固定岛相对的两组子结构为一组,构成了测量一个加速度方向的完整工作结构两组子结构能够分别测量X轴和Y轴方向的加速度。每个子结构的两个敏感梁上具有压敏电阻,并通过金属引线和焊盘连接组成半开环惠斯通全桥电路。该传感器芯片可实现200g以下两轴加速度的分离测量,固有频率达到20kHz以上,灵敏度大于0.5mV/g/3V,具有较高的谐振频率和灵敏度。

    多梁式单质量块面内双轴加速度传感器芯片及其制备方法

    公开(公告)号:CN107796955B

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201710938806.9

    申请日:2017-09-30

    Abstract: 本发明公开多梁式单质量块面内双轴MEMS压阻式加速度传感器芯片及其制备方法,传感器芯片采用SOI硅片制造,包括芯片外框架、主支撑梁、连接梁、副支撑梁、敏感压阻微梁、质量块以及金属引线和焊盘。主支撑梁一端固定于芯片外框架,另一端与连接梁相连,连接梁的另一端与副支撑梁连接,副支撑梁的另一端与质量块相连。芯片中八个敏感压阻微梁位于芯片外框架与连接梁之间的间隙,两两对称分布在主支撑梁两侧,并且一端固定于芯片外框架,另一端与连接梁相连;八个敏感压阻微梁上的压敏电阻通过金属引线和十六个焊盘相连并组成惠斯通全桥电路。本发明传感器芯片可实现100g以下加速度的测量,固有频率达40kHz以上,满足高频低g值加速度动态测量的要求。

    双沟道HEMT太赫兹探测器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107863360A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201711015956.9

    申请日:2017-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于双沟道HEMT的太赫兹波探测器,包含双沟道HEMT单元和能够耦合太赫兹波的天线。本发明所提出的双沟道HEMT太赫兹探测器采用半导体制造工艺,将太赫兹波天线与HEMT集成一体,结构紧凑,有利于探测器的阵列化和规模化生产,能够有效提高器件的导通电流,增大探测器的响应度和灵敏度,提升探测器的稳定性,进而实现对太赫兹波快速、准确的探测。

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