公开(公告)号：CN119165679A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411510824.3

申请日：2024-10-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 胡庆元 ,  张跃斌 ,  白嘉炜 ,  高鲁楠 ,  魏晓勇 ,  徐卓

IPC: G02F1/05 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/132 ,  B24B13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于高性能铁电单晶PIN‑PMN‑PT的加载型电光调制器及其制备方法，该电光调制器包括PIN‑PMN‑PT基底，PIN‑PMN‑PT基底上的中间区域覆盖有直波导层，PIN‑PMN‑PT基底和直波导层上均覆盖有上包层，上包层上均设置有位于直波导层两侧且与直波导层长边平行的调制电极，调制电极为矩形行波电极；通过采用具有高线性电光系数的PIN‑PMN‑PT单晶以及非晶硅材料制备新型加载型电光调制器，向调制器施加外部电场，实现了对光载波相位的改变，达到对光波调制的效果，解决了现有电光调制器的驱动电压较高和集成难度大的技术问题；本发明制备的加载型电光调制器能够降低电光调制器的驱动电压，提高调制效率，缩短调制长度，实现小型化和低功耗。