一维铅基系统瞬态安全分析方法

    公开(公告)号:CN114023478B

    公开(公告)日:2023-08-15

    申请号:CN202111314188.3

    申请日:2021-11-08

    Abstract: 一种一维铅基系统瞬态安全分析方法,其主要步骤如下:1、根据输入文件,确定铅基系统的组织结构和组成台架各个组件的组件参数,设定计算时间和时间步长。2、系统初始化计算,得到零时刻的初始值。3、采用吉尔算法,计算当前t时刻的流场、温度场和压力长。4、根据步骤3的计算结果,采用吉尔算法进行下一时刻的计算,直到设定的总计算时间,计算停止。5、若计算达到规定时间,则终止计算。6、根据步骤1~5得到的计算结果,采用准稳态方法计算台架内氧浓度、铁浓度和氧化层浓度的分布。本发明可以分析铅铋快堆或铅基系统的稳态热工水力特性和事故工况下的瞬态相应特性,为推进铅铋快堆的设计和安全特性分析提供建议和指导。

    一种设置空心阴极等离子体的PLD系统及薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN114059022B

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202111322836.X

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种设置空心阴极等离子体的PLD系统及薄膜的制备方法,该系统在现有的脉冲激光沉积系统(PLD)的真空腔体中设置等离子体放电系统,只需将现有的PLD系统中的气路不锈钢管中间部分更换为氧化铝绝缘陶瓷管,一端连接电源,另一端连接气路,即形成放电装置。该装置可以使氧等离子体负辉区重叠,电子与气体原子的碰撞次数增加,电离效果显著提高,有效提高脉冲激光沉积腔体中氧等离子体的浓度,降低ITO薄膜中氧空位的含量,改善非晶ITO薄膜晶体管阈值电压偏负的问题,一定程度上优化了器件的亚阈值摆幅和迁移率,有利于改善薄膜晶体管的性能。

    一种基于超声空化效应的衣物清洗装置

    公开(公告)号:CN111058215B

    公开(公告)日:2021-04-20

    申请号:CN201911419403.9

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于超声空化效应的衣物清洗装置,属于衣物清洁领域,通过在主容器内壁上设置多孔网板,流体流过多孔网时会在小孔处形成搅混,结合超声波换能器产生的超声波能够产生空化效应,增强衣物的清洗效果,且不易使某些不溶颗粒物沉积;通过在容器相对的两侧内壁上利用固定钢板固定了若干个超声波换能器,增大了超声波发射后的覆盖范围,从而能够增大水流形成搅混的能力与空化效应的强度。本发明装置结构简单,耗电量和耗水量小,实用性强。

    一种基于超声空化效应的衣物清洗装置

    公开(公告)号:CN111058215A

    公开(公告)日:2020-04-24

    申请号:CN201911419403.9

    申请日:2019-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于超声空化效应的衣物清洗装置,属于衣物清洁领域,通过在主容器内壁上设置多孔网板,流体流过多孔网时会在小孔处形成搅混,结合超声波换能器产生的超声波能够产生空化效应,增强衣物的清洗效果,且不易使某些不溶颗粒物沉积;通过在容器相对的两侧内壁上利用固定钢板固定了若干个超声波换能器,增大了超声波发射后的覆盖范围,从而能够增大水流形成搅混的能力与空化效应的强度。本发明装置结构简单,耗电量和耗水量小,实用性强。

    一种增强网络视频中视觉重要区域清晰度的方法

    公开(公告)号:CN101527786A

    公开(公告)日:2009-09-09

    申请号:CN200910021768.6

    申请日:2009-03-31

    Abstract: 本发明公开了一种增强网络视频中视觉重要区域清晰度的方法,其特征是,包括如下执行步骤:首先并行地执行字幕区域检测单元00和进行人脸区域检测单元01;然后执行当前帧视觉重要区域确定单元02,通过对人脸以及字幕两种重要区域进行或操作,也即MAP=MAPt|MAPf,实现对该两种重要区域合并以得到当前帧中视觉重要区域MAP,其中MAPt为当前字幕在原始视频中的字幕区域;MAPf为原始图像中人脸区域所在的区域;接下来执行基于视觉重要区域的编码单元03,以对视觉重要区域和视觉非重要区域进行有差别的编码,实现增强视觉重要区域的编码清晰度;最后执行单元04形成待发送的视频码流。

    一种羟基终端半导体材料的制备方法

    公开(公告)号:CN115786887B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202211419846.X

    申请日:2022-11-14

    Inventor: 李奉南 马飞 王琛

    Abstract: 本发明公开了一种羟基终端半导体材料的制备方法,该制备方法首先进行氢化处理,使得半导体材料表面有氢终端,然后通过高压电解低产生的氢氧根离子对金刚石表面进行羟基化处理,该方法是一种高效、清洁且安全的金刚石表面羟基化方法,只需在去离子水等离子液体中进行,无需添加任何的化学试剂,保证了样品表面不会引入杂质,并且大幅度降低了处理成本,羟基化程度更高,适用于缺陷密度更低的高质量羟基终端金刚石表面的制备。

    PEM电解槽双极板涂层的小面积试样接触电阻测量装置及方法

    公开(公告)号:CN118150897A

    公开(公告)日:2024-06-07

    申请号:CN202410287202.2

    申请日:2024-03-13

    Abstract: 本发明公开了一种PEM电解槽双极板涂层的小面积试样接触电阻测量装置及方法,属于接触电阻测试技术领域。本发明公开的装置适合于PEM电解槽双极板涂层的小面积试样接触电阻测量,装置中所需试样优选面积为1.5×1.5cm2~3.0×3.0cm2,即可小于常规试样尺寸的5.0×5.0cm2,且该尺寸范围内仍可进行小量程力的精确调控,即本申请的测量装置和测量方法尤其适合于小面积试样接触电阻的快速、精准测试,可节约测试过程中的材料、制作时间等成本。

    一种羟基终端半导体材料的制备方法

    公开(公告)号:CN115786887A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211419846.X

    申请日:2022-11-14

    Inventor: 李奉南 马飞 王琛

    Abstract: 本发明公开了一种羟基终端半导体材料的制备方法,该制备方法首先进行氢化处理,使得半导体材料表面有氢终端,然后通过高压电解低产生的氢氧根离子对金刚石表面进行羟基化处理,该方法是一种高效、清洁且安全的金刚石表面羟基化方法,只需在去离子水等离子液体中进行,无需添加任何的化学试剂,保证了样品表面不会引入杂质,并且大幅度降低了处理成本,羟基化程度更高,适用于缺陷密度更低的高质量羟基终端金刚石表面的制备。

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