-
公开(公告)号:CN119023999A
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202411145822.9
申请日:2024-08-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及微机电系统制造技术领域,尤其是多级限位抗过载MEMS电容式加速度传感器结构及传感器,包括敏感质量块、可动和非可动电极梳齿、U形敏感弹性梁、检测梳齿锚点、止挡结构锚点、M形止动梁、面外止动梁锚点、刚性凸起、柔性孔缝、质量块孔缝、刚性限位锚点和止挡结构连接部;通过设置两套刚性加柔性双级限位结构,实现对敏感质量块因X轴和Y轴冲击加速度导致的大位移的限制;通过M形止动梁的设置,实现对敏感质量块因Z轴冲击加速度导致大位移的限制。通过刚性限位锚点的设置,提升硅结构层刻蚀均匀性,缓解结构层小线宽处的过刻蚀现象,并提升传感器敏感结构抗过载能力和稳定性。解决现有加速度传感器抗过载能力低、可靠性差的问题。
-
公开(公告)号:CN119024000A
公开(公告)日:2024-11-26
申请号:CN202411145861.9
申请日:2024-08-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及微机电系统制造技术领域,尤其是具有应力隔离的MEMS电容式加速度传感器敏感结构及传感器,包括敏感质量块框架、可动电极梳齿、非可动电极梳齿、U形敏感梁、应力隔离结构和止挡结构。当体系受到环境温度变化时,产生的热应力通过应力传递梁和应力集中梁释放,使应力被隔离在敏感的U形敏感弹性梁以外,从而避免影响传感器标度因数,保证其性能的温度一致性;同时,通过与隔离锚点连接的应力集中梁和应力传递梁的设置,实现了对敏感质量块框架远端的支撑,可提升模态分离比、降低交叉轴灵敏度、提升抗过载能力和稳定性,避免受到非敏感轴方向加速度影响。解决现有敏感芯片敏感轴方向检测精度低、稳定性差及应力释放不够彻底的问题。
-