公开(公告)号：CN119789741A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411969108.1

申请日：2024-12-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 梁超 ,  杨生春 ,  林越辛 ,  杨文涵

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K30/50 ,  H10K85/50 ,  H10K30/85 ,  H10K30/86

Abstract: 本发明公开了一种基于超快电子提取层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，属于光电材料与器件领域。该发明在导电玻璃上旋涂沉积空穴传输层，通过将金属嵌入富勒烯分子与有机高分子材料相结合，配制成超快电子提取层的前驱液，利用旋涂法在沉积完钙钛矿薄膜的透明导电基底上进行沉积，制备出具有超快电子传输能力的电子提取层；依次在超快电子提取层上真空热蒸镀电子传输材料、界面修饰材料和金属电极，得到钙钛矿太阳能电池。采用该超快电子提取层制备的钙钛矿太阳能电池展现出较高的光电转换效率及卓越的器件稳定性，适用于高效光伏器件的工业化生产。

公开(公告)号：CN119789739A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411969094.3

申请日：2024-12-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 梁超 ,  杨生春 ,  杨文涵 ,  林越辛

IPC: H10K71/00 ,  H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K71/60 ,  H10K85/50 ,  H10K30/50 ,  H10K30/40 ,  H10K30/10 ,  H10K30/88

Abstract: 本发明公开了一种消除钙钛矿薄膜应力的钙钛矿太阳能电池及制备方法，属于光电材料与器件领域。该发明在导电玻璃上旋涂沉积空穴传输层，通过化学浴沉积方法制备SnO2电子传输层；通过在钙钛矿薄膜的前驱液中加入特定的小离子，用旋涂法旋涂钙钛矿前驱体溶液；再采用反溶剂法旋涂退火得到钙钛矿层；再旋涂空穴传输层；热蒸镀金属电极，得到钙钛矿太阳能电池。该方法将含有小离子的钙钛矿前驱液沉积在已沉积完空穴传输层的导电基底上，制备出应力释放效果显著的钙钛矿薄膜，薄膜表面平整致密、缺陷态密度低，所制备的钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转换效率，同时展现出优异的长期稳定性和抗环境侵蚀能力。